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パワーmosfet

通販 74 件 / オークション 20 件

通販の検索結果

uxcell MOSFETトランジスタ IRFP260N Nチャンネルパワー  ファーストスイッチング 56A 200Vuxcell MOSFETトランジスタ IRFP260N Nチャンネルパワー ファーストスイッチング 56A 200V678
メーカー
uxcell
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商品説明
製品名 : MOSFET; モデル No. :IRFP260N
チャンネルタイプ : N-チャンネル ドレーン ソース 電圧 : 200V
ドレーン電流:56A ピンの長さ:15mm
ホール の直径:3.5mm
重量 : 6g; パッケージ: 1 x N-チャンネル MOSFET
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MOSFETトランジスタ,SODIAL(R) 3xIRL7833 200A 33V Nチャンネル パワーMOSFETトランジスタMOSFETトランジスタ,SODIAL(R) 3xIRL7833 200A 33V Nチャンネル パワーMOSFETトランジスタ270レビューを見る
メーカー
SODIAL(R)
カラー
示すように
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商品説明
産品名:MOSFET
モデルナンバー:IRL7833
チャンネルタイプ:N-チャンネル
カラー:示すように
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パワーMOSFETの実践活用法―電力制御のためのデバイスの基礎知識から応用回路まで (ハードウェアデザインシリーズ (13))パワーMOSFETの実践活用法―電力制御のためのデバイスの基礎知識から応用回路まで (ハードウェアデザインシリーズ (13))2,200
メーカー
CQ出版
著者
トランジスタ技術編集部
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SODIAL(R)10個 Nチャネルパワー MOSFET2N60 低ゲート電荷 2A 600VSODIAL(R)10個 Nチャネルパワー MOSFET2N60 低ゲート電荷 2A 600V208レビューを見る
メーカー
SODIAL(R)
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商品説明
ドレイン-ソース-電圧:600V
ピンのサイズ(Lxピッチ):約8×2ミリメートル
全体のサイズ(長さx幅x高さ):約15×6×2ミリメートル
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SODIAL(R) 5個N-チャネルパワーMOSFET 5N60低ゲート電荷4.5A 600VSODIAL(R) 5個N-チャネルパワーMOSFET 5N60低ゲート電荷4.5A 600V169レビューを見る
メーカー
SODIAL(R)
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ソース電圧600Vドレイン
4.5A電流をドレイン
TO-220パッケージ
取付穴の直径:約3ミリメートル
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門2,700送料無料レビューを見る
メーカー
日刊工業新聞社
著者
山崎 浩
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門1,515レビューを見る
メーカー
日刊工業新聞社
著者
山崎 浩
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トランジスタ,SODIAL(R)10xIRF3205 IRF3205PBF高速パワースイッチングトランジスタトランジスタ,SODIAL(R)10xIRF3205 IRF3205PBF高速パワースイッチングトランジスタ307レビューを見る
メーカー
SODIAL (R)
カラー
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商品説明
メーカー:IR
メーカー型番:IRF3205PBF
パッケージ/ケース:TO-220
特徴:
トランジスタのタイプ:Nチャンネル
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術3,024送料無料レビューを見る
メーカー
日刊工業新聞社
著者
山崎 浩
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術2,091レビューを見る
メーカー
日刊工業新聞社
著者
山崎 浩
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uxcell MOSFET  高速スイッチング  IRFP240   Nチャネルパワー   200V 30Auxcell MOSFET 高速スイッチング IRFP240 Nチャネルパワー 200V 30A707
メーカー
uxcell
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商品説明
製品名:MOSFET; モデル番号:IRFP240
チャンネルタイプ:Nチャネル;ドレインソース電圧:200V
ドレイン電流:30A;ピンの長さ:15mm
穴径:3.5mm
重量:6g;パッケージの内容:1×NチャネルMOSFET
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Advanced Power MOSFET Concepts【電子書籍】[ B. Jayant Baliga ]Advanced Power MOSFET Concepts【電子書籍】[ B. Jayant Baliga ]26,329送料無料
【はじめての方限定!一冊無料クーポンもれなくプレゼント】 During the last decade many new concepts have been proposed for improving the performance of power MOSFETs. The results of this research are dispersed in the technical literature among journal articles and abstracts of conferences. Consequently, the information is not readily available to researchers and practicing engineers in the power device community. There is no cohesive treatment of the ideas to provide an assessment of the relative merits of the ideas. "Advanced Power MOSFET Concepts" provides an in-depth treatment of the physics of operation of advanced power MOSFETs. Analytical models for explaining the operation of all the advanced power MOSFETs will be developed. The results of numerical simulations will be provided to give additional insight into the device physics and validate the analytical models. The results of two-dimensional simulations will be provided to corroborate the analytical models and give greater insight into the device operation.画面が切り替わりますので、しばらくお待ち下さい。 ※ご購入は、楽天kobo商品ページからお願いします。※切り替わらない場合は、こちら をクリックして下さい。 ※このページからは注文できません。
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アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 20mm x 20mm x 6mm 2cm ハイパワーLEDに最適!! Raspberry PiのCPU放熱にも!アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 20mm x 20mm x 6mm 2cm ハイパワーLEDに最適!! Raspberry PiのCPU放熱にも!50
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商品説明
20mm x 20mm x 6mmサイズのアルミニウム製ヒートシンクです。 1W 3W ハイパワーLEDの放熱などにご活用下さい。 LEDだけではなくトランジスタ、CPU、IGBT、MOSFET、メモリ、M.2 SSDなど様々な半導体素子にもご利用頂けます。 使用されるものによっては、こちらの放熱器だけでは十分な放熱が行えない場合が御座います。 LEDに使用される場合は、素手で放熱器に触れる程度の温度となるよう、 放熱器を増減・ファンによる強制空冷などを行ってください。 また発熱体と放熱器の間には、必ず放熱用グリースや熱伝導両面テープなどを設置してください。 サイズ:(約) 20mm x 20mm x 6mm 重さ:(約) 3g フィン数:7 ※輸入商品のため、本体に擦り傷や若干のヘコミが御座います。ご了承のほどよろしくお願いいたします。 ※当店取扱い中の、3M社製熱伝導両面テープや、固まるシリコーンなどと合わせてご利用頂くと、大変便利です。 ※LEDや熱伝導両面テープなどは設置例となり、付属いたしません。 ※写真には複数写っておりますが、1つあたりの価格となります。
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アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 40x40x11mm 4cm ハイパワーLEDに最適!!アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 40x40x11mm 4cm ハイパワーLEDに最適!!230
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商品説明
40mm x 40mm x 11mmサイズのアルミニウム製ヒートシンクです。 黒色アルマイト加工が施されております。 1W 3W 10W ハイパワーLEDの放熱などにご活用下さい。 LEDだけではなくトランジスタ、CPU、IGBT、MOSFET、メモリなど様々な半導体素子にもご利用頂けます。 フィン数が非常に多く作られているため、表面積が増え、より素早く放熱を行うことが可能です。 使用されるものによっては、こちらの放熱器だけでは十分な放熱が行えない場合が御座います。 LEDに使用される場合は、素手で放熱器に触れる程度の温度となるよう、 放熱器を増減・ファンによる強制空冷などを行ってください。 また発熱体と放熱器の間には、必ず放熱用グリースや熱伝導両面テープなどを設置してください。 サイズ:(約) 40mm x 40mm x 11mm 重さ:(約) 16.8g フィン数:117 ※輸入商品のため、本体に擦り傷や若干のヘコミが御座います。ご了承のほどよろしくお願いいたします。 ※当店取扱い中の、3M社製熱伝導両面テープや、固まるシリコーンなどと合わせてご利用頂くと、大変便利です。 ※写真には複数写っておりますが、1つあたりの価格となります。 ※LEDは参考例となり、付属いたしません。
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アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 20x150mm 15cm ハイパワーLEDに最適!!アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 20x150mm 15cm ハイパワーLEDに最適!!299
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20mm x 150mm x 6mmサイズのアルミニウム製ヒートシンクです。 1W 3W 10WハイパワーLEDの放熱などにご活用下さい。 LEDだけではなくトランジスタ、CPU、IGBT、MOSFET、メモリ、M.2 SSDなど様々な半導体素子にもご利用頂けます。 フィン数が多く作られているため、表面積が増え、より素早く放熱を行うことが可能です。 使用されるものによっては、こちらの放熱器だけでは十分な放熱が行えない場合が御座います。 LEDに使用される場合は、素手で放熱器に触れる程度の温度となるよう、 放熱器を増減・ファンによる強制空冷などを行ってください。 また発熱体と放熱器の間には、必ず放熱用グリースの塗布や熱伝導両面テープなどを設置してください。 サイズ:(約) 20mm x 150mm x 6mm 重さ:(約) 19g フィン数:7 ※輸入商品のため、本体に擦り傷や若干のヘコミが御座います。ご了承のほどよろしくお願いいたします。 ※当店取扱い中の、3M社製熱伝導両面テープや、固まるシリコーンなどと合わせてご利用頂くと、大変便利です。 ※写真には複数写っておりますが、1つあたりの価格となります。 ※LEDなどは取付参考例となり、付属いたしません。
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パワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パックパワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パック756
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商品説明
・修理用などに。ランダムに約20個がセット。 ※本製品は、処分パックのため何がセットされているかは お選びいただくことができません。ご了承ください。
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アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 90x90x15mm 9cm ハイパワーLEDに最適!!アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 90x90x15mm 9cm ハイパワーLEDに最適!!1,050
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商品説明
90mm x 90mm x 15mmサイズのアルミニウム製ヒートシンクです。 1W 3W 10W 20W 30W 50W 100WハイパワーLEDの放熱などにご活用下さい。 LEDだけではなくトランジスタ、CPU、IGBT、MOSFET、メモリなど様々な半導体素子にもご利用頂けます。 フィン数が多く作られているため、表面積が増え、より素早く放熱を行うことが可能です。 使用されるものによっては、こちらの放熱器だけでは十分な放熱が行えない場合が御座います。 LEDに使用される場合は、素手で放熱器に触れる程度の温度となるよう、 放熱器を増減・ファンによる強制空冷などを行ってください。 また発熱体と放熱器の間には、必ず放熱用グリースの塗布や熱伝導両面テープなどを設置してください。 サイズ:(約) 90mm x 90mm x 15mm 重さ:(約) 140g フィン数:34 ※輸入商品のため、本体に擦り傷や若干のヘコミが御座います。ご了承のほどよろしくお願いいたします。 ※当店取扱い中の、3M社製熱伝導両面テープや、固まるシリコーンなどと合わせてご利用頂くと、大変便利です。 ※写真には複数写っておりますが、1つあたりの価格となります。 ※LEDなどは取付参考例となり、付属いたしません。
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アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 50x300x3mm 5cmx30cm アルミフラットバー 平角棒 ヒートスプレッダー ハイパワーLEDに最適!!アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 50x300x3mm 5cmx30cm アルミフラットバー 平角棒 ヒートスプレッダー ハイパワーLEDに最適!!510
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商品説明
50mm x 300mm x 3mmサイズのアルミニウム製ヒートシンクです。 1W 3W 10W ハイパワーLEDの放熱などにご活用下さい。 LEDだけではなくトランジスタ、CPU、IGBT、MOSFET、メモリなど様々な半導体素子にもご利用頂けます。 10W程度のLEDでしたら、自然空冷でご利用頂けます。表面積が大きいので、ファンなどで強制空冷して頂ければ、より発熱の大きいLEDにもご利用頂けます。 使用されるものによっては、こちらの放熱器だけでは十分な放熱が行えない場合が御座います。 LEDに使用される場合は、素手で放熱器に触れる程度の温度となるよう、 放熱器を増減・ファンによる強制空冷などを行ってください。 また発熱体と放熱器の間には、必ず放熱用グリースや熱伝導両面テープなどを設置してください。 当店取扱い中の、3M社製熱伝導両面テープや、固まるシリコーンなどと合わせてご利用頂くと、大変便利です。 サイズ:幅50x長さ300x厚さ3mm 重さ:約123g 材質:A6063 アルミニウム合金 熱伝導率:220W (m・K) ※長さに±2mmほどの誤差が御座います。 ※輸入商品のため、本体に擦り傷や若干のヘコミが御座います。 ※LEDは参考例となり、付属いたしません。
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アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 50x50x4.6mm 5cm ハイパワーLEDに最適!!アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 50x50x4.6mm 5cm ハイパワーLEDに最適!!299
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商品説明
50.8mm x 50.8mm x 4.6mmサイズのアルミニウム製ヒートシンクです。 1W 3W 10W 20W 30W 50W 100WハイパワーLEDの放熱などにご活用下さい。 LEDだけではなくトランジスタ、CPU、IGBT、MOSFET、メモリなど様々な半導体素子にもご利用頂けます。 フィン数が多く作られているため、表面積が増え、より素早く放熱を行うことが可能です。 使用されるものによっては、こちらの放熱器だけでは十分な放熱が行えない場合が御座います。 LEDに使用される場合は、素手で放熱器に触れる程度の温度となるよう、 放熱器を増減・ファンによる強制空冷などを行ってください。 また発熱体と放熱器の間には、必ず放熱用グリースや熱伝導両面テープなどを設置してください。 サイズ:(約) 50.8mm x 50.8mm x 4.6mm 重さ:(約) 20g フィン数:15 ※輸入商品のため、本体に擦り傷や若干のヘコミが御座います。ご了承のほどよろしくお願いいたします。 ※当店取扱い中の、3M社製熱伝導両面テープや、固まるシリコーンなどと合わせてご利用頂くと、大変便利です。 ※写真には複数写っておりますが、1つあたりの価格となります。 ※LEDなどは取付参考例となり、付属いたしません。
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アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 30x300x3mm 3cmx30cm アルミフラットバー 平角棒 ヒートスプレッダー ハイパワーLEDに最適!!アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 30x300x3mm 3cmx30cm アルミフラットバー 平角棒 ヒートスプレッダー ハイパワーLEDに最適!!380
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商品説明
30mm x 300mm x 3mmサイズのアルミニウム製ヒートシンクです。 1W 3W 10W ハイパワーLEDの放熱などにご活用下さい。 LEDだけではなくトランジスタ、CPU、IGBT、MOSFET、メモリなど様々な半導体素子にもご利用頂けます。 10W程度のLEDでしたら、自然空冷でご利用頂けます。表面積が大きいので、ファンなどで強制空冷して頂ければ、より発熱の大きいLEDにもご利用頂けます。 使用されるものによっては、こちらの放熱器だけでは十分な放熱が行えない場合が御座います。 LEDに使用される場合は、素手で放熱器に触れる程度の温度となるよう、 放熱器を増減・ファンによる強制空冷などを行ってください。 また発熱体と放熱器の間には、必ず放熱用グリースや熱伝導両面テープなどを設置してください。 当店取扱い中の、3M社製熱伝導両面テープや、固まるシリコーンなどと合わせてご利用頂くと、大変便利です。 サイズ:幅30x長さ300x厚さ3mm 重さ:約76g 材質:A6063 アルミニウム合金 熱伝導率:220W (m・K) ※長さに±2mmほどの誤差が御座います。 ※輸入商品のため、本体に擦り傷や若干のヘコミが御座います。 ※LEDは参考例となり、付属いたしません。
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アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 60x60x10mm 6cm ハイパワーLEDに最適!!アルミヒートシンク 放熱器 ラジエーター 60x60x10mm 6cm ハイパワーLEDに最適!!399
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商品説明
60mm x 60mm x 10mmサイズのアルミニウム製ヒートシンクです。 1W 3W 10W 20W 30W 50W 100WハイパワーLEDの放熱などにご活用下さい。 LEDだけではなくトランジスタ、CPU、IGBT、MOSFET、メモリなど様々な半導体素子にもご利用頂けます。 フィン数が多く作られているため、表面積が増え、より素早く放熱を行うことが可能です。 使用されるものによっては、こちらの放熱器だけでは十分な放熱が行えない場合が御座います。 LEDに使用される場合は、素手で放熱器に触れる程度の温度となるよう、 放熱器を増減・ファンによる強制空冷などを行ってください。 また発熱体と放熱器の間には、必ず放熱用グリースや熱伝導両面テープなどを設置してください。 サイズ:(約) 60mm x 60mm x 10mm 重さ:(約) 41g フィン数:16 ※輸入商品のため、本体に擦り傷や若干のヘコミが御座います。ご了承のほどよろしくお願いいたします。 ※当店取扱い中の、3M社製熱伝導両面テープや、固まるシリコーンなどと合わせてご利用頂くと、大変便利です。 ※写真には複数写っておりますが、1つあたりの価格となります。 ※LEDなどは取付参考例となり、付属いたしません。
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パワーMOSFET N-CH 100V-5.6A IRF510 2個パワーMOSFET N-CH 100V-5.6A IRF510 2個324
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商品説明
※申し訳ございません、ただ今在庫切れとなっております。 タイプ: IRF510 種類: n-ch 定格: 100V-5.6A-43W パッケージ: TO220
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BOSS(ボス) CW600 Chaos Wired 800W 4チャンネル(4ch) Mosfet パワーアンプ with サブウーファー Level CBOSS(ボス) CW600 Chaos Wired 800W 4チャンネル(4ch) Mosfet パワーアンプ with サブウーファー Level C25,400送料無料
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商品説明
【商品名】BOSS(ボス) CW600 Chaos Wired 800W 4チャンネル(4ch) Mosfet パワーアンプ with サブウーファー Level C【カテゴリー】アンプ:マルチチャンネル(複数ch) / 輸入カーオーディオ,自動車用品,パーツ,アンプ,スピーカー,ツィーター,サブウーファー取扱専門店
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YAMAHA P1000S パワーアンプYAMAHA P1000S パワーアンプ36,799送料無料
ブランド
ヤマハ
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367 ポイント ( Yahoo!ポイント )
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商品説明
ヤマハ 100W+100W ステレオパワーアンプ 省電力、高音質。高い信頼性のもと、SRから設備音響まで幅広いアプリケーションに応える、パワーアンプリファイアーのスタンダードモデル。ヤマハ独自の高効率アンプ駆動技術「EEEngine」を採用し、カレントバッファ部にMOSFET回路を搭載、約50%もの省電力化を達成。上級モデルの高音質を継承しつつ省電力化を高次元で両立した超ハイコストパフォーマンスのスタンダードモデル。
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即納 G70D-VFOM16 DC24 オムロン リレーターミナル パワーMOSFETリレー出力 16点(1a×16) NPN対応((+)コモン)即納 G70D-VFOM16 DC24 オムロン リレーターミナル パワーMOSFETリレー出力 16点(1a×16) NPN対応((+)コモン)24,840送料無料
ブランド
オムロン
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パワーMOSFET N-CH 60V-50A RFP50N06パワーMOSFET N-CH 60V-50A RFP50N06378
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商品説明
タイプ:RFP50N06 種類: n-ch 定格: 60V-50A-131W-0.022ohm パッケージ: TO220
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N-チャンネル パワーMOSFET - 30V / 60AN-チャンネル パワーMOSFET - 30V / 60A324
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商品説明
・N チャンネル パワーMOSFET ・TO-220 パッケージ ・Vds = 30V max ・Max 電流 = 62A ・Vgs = 2.35V max ・Rds_on =
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DTI カーオーディオ DTIMA4200D Mono Channel Mosfet パワーアンプDTI カーオーディオ DTIMA4200D Mono Channel Mosfet パワーアンプ45,800送料無料
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458 ポイント ( Yahoo!ポイント )
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商品説明
【商品名】DTI カーオーディオ DTIMA4200D Mono Channel Mosfet パワーアンプ【カテゴリー】アンプ:モノアンプ(1ch) / 輸入カーオーディオ,自動車用品,パーツ,アンプ,スピーカー,ツィーター,サブウーファー取扱専門店
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YAMAHA パワーアンプリファイアー P5000SYAMAHA パワーアンプリファイアー P5000S115,714
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2,314 ポイント ( Yahoo!ポイント )
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ヤマハ独自の高効率アンプ駆動技術「EEEngine」を採... ■商品説明■●ヤマハ独自の高効率アンプ駆動技術「EEEngine」を採用し、カレントバッファ部にMOSFET回路を搭載、約50%もの省電力化を達成。上級モデルの高音質を継承しつつ省電力化を高次元で両立した超ハイコストパフォーマンスのスタンダードモデル。幅広い用途に対応する5モデルがラインナップ。 ステレオ出力(4Ω):700W x2 ステレオ出力(8Ω):500W x2 ブリッジ出力(8Ω):1400W 高効率なスイッチング電源を採用
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BOSS(ボス) オーディオ Ph2.1500 Phantomシリーズ 2Ch Mosfet Bridgeable パワーアンプ (3000W)BOSS(ボス) オーディオ Ph2.1500 Phantomシリーズ 2Ch Mosfet Bridgeable パワーアンプ (3000W)38,200送料無料
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382 ポイント ( Yahoo!ポイント )
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商品説明
【商品名】BOSS(ボス) オーディオ Ph2.1500 Phantomシリーズ 2Ch Mosfet Bridgeable パワーアンプ (3000W)【カテゴリー】カーオーディオ:アンプ:BOSS(ボス)
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PD10M440H (1個) パワーMOSFETモジュール 日本インター 【中古】PD10M440H (1個) パワーMOSFETモジュール 日本インター 【中古】11,000送料無料
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110 ポイント ( Yahoo!ポイント )
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中古パワーモジュール。動作チェック済の安心良品。
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Pololu ハイパワーモータドライバ 24v23 CSPololu ハイパワーモータドライバ 24v23 CS8,057
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クレジットカード、Yahoo!ウォレット、商品代引、銀行振込、モバイルSuica、ペイジー、コンビニ払い、ドコモケータイ払い、auかんたん決済、ソフトバンクまとめて支払い、Yahoo!マネー/預金払い
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ハイパワーDCブラシモーター1台を正逆回転制御する、MOSFETのHブリッジモータードライバーです。 電圧範囲: 5.5V〜40V 制御電流: 23A (ヒートシンク無し) 電流監視機能: 電流に比例したアナログ電圧出力 サイズ: 45.7x30.5mm 本体及び付属品: ・モータードライバー本体 ・コンデンサ 100uF 2個 ・4ピン 5mmピッチターミナル 1個 (メーカサイト 2ピン 2個と記載) ・20ピン 2.54mmピッチピンヘッダ 1本 販売元: Pololu Pololu型番: 1456 英語商品名: Pololu High-Power Motor Driver 24v23 CS 参考価格: 62.95USドル(税・送料抜き) 在庫品: 1営業日以内発送 お取寄せ: 月曜までのご注文を土曜までに発送 Pololuの在庫状況、国際便(アメリカ)の輸送状況により遅れる場合がございます。
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門 [ 山崎浩 ]よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門 [ 山崎浩 ]2,700送料無料
【楽天ブックスならいつでも送料無料】 山崎浩 日刊工業新聞社発行年月:2002年07月31日 予約締切日:2002年07月24日 ページ数:205p サイズ:単行本 ISBN:9784526049750 山崎浩(ヤマザキヒロシ) 1947年東京都に生まれる。1969年電気通信大学電気通信学部卒業(通信材料工学専攻)。同年、東京三洋電機(株)(現三洋電機(株))半導体事業部入社。その後、サンケン電気(株)開発本部、富士エレクトロニックコンポーネンツ(株)応用開発室を経て、1987年に独立し、技術コンサルタントとして活躍中。技術士(電気部門)、中小企業診断士(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) 第1章 パワーMOSFETとIGBTの基本/第2章 パワーMOSFETを上手に使うために/第3章 IGBTを上手に使うために/第4章 応用技術/第5章 応用回路 本書は、これからパワーMOSFETとIGBTを学び、実際に回路設計しようとする技術者を念頭に置き、素子の分類、動作原理、データシートの見方、特性改善、応用技術などをできるだけ易しく解説したもの。さらに、応用回路例を分野別に示した。 本 科学・技術 工学 電気工学
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【楽天ブックスならいつでも送料無料】 実験で学ぶ高速パワー・スイッチイングのノウハウ Power electronics 稲葉保(電子回路) CQ出版発行年月:2004年11月 ページ数:311p サイズ:単行本 ISBN:9784789830386 稲葉保(イナバタモツ) 1948年千葉県に生まれる。1968年国立仙台電波高等学校専攻科卒業。第1級無線通信士資格取得。1971年原電子測器(株)入社。1974年同社退社。1976年(株)日本サーキット・デザイン設立、現在同社代表取締役(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) パワーMOS FETのあらまし/活用の決め手はゲート特性を理解すること/パワーMOSドライブ回路設計の基礎/パワーMOSの絶縁ゲート・ドライブ技術/パワーMOSの安全対策…過電圧/過電流保護回路/Pチャンネル・パワーMOSの応用技術/電子式ステップ・ダウン・トランスの設計/12V・2.5Aスイッチング電源の設計/力率補正付き0〜100V・2A電源の設計/PWM方式D級アンプの設計/38kHzー100W超音波発振機の設計/高周波誘導加熱装置の設計 本書では、実践的なパワーMOS FETの活用ノウハウを、実験と実用回路の試作によって余すところなく紹介する。 本 科学・技術 工学 電気工学
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 [ 李□烈 ]図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 [ 李□烈 ]2,376送料無料
【楽天ブックスならいつでも送料無料】 李□烈 日刊工業新聞社発行年月:2013年12月 ページ数:153p サイズ:単行本 ISBN:9784526071720 李〓烈(リキョンリョル) 韓国外国語大学校卒業。1999年9月〜2002年4月SEIKO EPSON Korea Branch(韓国ソウル)半導体の営業。2002年10月〜2003年11月沖電気工業株式会社(日本八王子市)半導体のマーケティング。2005年3月〜2012年4月東芝ディスクリートセミコンダクターテクノロジー株式会社(日本神奈川県川崎市)アプリケーションエンジニア。2012年5月〜現在、インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社(日本東京)アプリケーションエンジニア(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) 第1章 MOSFETを理解するための半導体の基礎/第2章 MOSFETの概要/第3章 MOSFETの絶対最大定格/第4章 電気的特性/第5章 特性グラフ/第6章 MOSFET使用時の注意点/第7章 MOSFETの応用 本 科学・技術 工学 電気工学
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門/山崎浩【2500円以上送料無料】よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門/山崎浩【2500円以上送料無料】2,700送料無料
著者山崎浩(著)出版社日刊工業新聞社発行年月2002年07月ISBN9784526049750ページ数205P9784526049750内容紹介本書は、これからパワーMOSFETとIGBTを学び、実際に回路設計しようとする技術者を念頭に置き、素子の分類、動作原理、データシートの見方、特性改善、応用技術などをできるだけ易しく解説したもの。さらに、応用回路例を分野別に示した。※本データはこの商品が発売された時点の情報です。
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高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法 [ トランジスタ技術special編集部 ]高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法 [ トランジスタ技術special編集部 ]3,888送料無料
【楽天ブックスならいつでも送料無料】 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いなが グリーン・エレクトロニクス トランジスタ技術special編集部 CQ出版発行年月:2012年06月 ページ数:111p サイズ:単行本 ISBN:9784789848381 付属資料:実験用デバイス3/「トランジスタ技術SPECIAL」増刊 特集 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いながら学ぶ…高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法(高耐圧と高速性を両立させた新しいスーパージャンクションMOSFET PrestoMOSの特徴とラインナップ/ボディ・ダイオード特性を向上させたスーパージャンクションMOSFETが登場 MOSFETのボディ・ダイオードの重要性/降圧/昇圧コンバータのスイッチング素子を例にして パワー・エレクトロニクス回路で半導体素子に求められる特性/パワー・エレクトロニクス回路の変換効率を改善させる 同期整流回路とスイッチング・トランジスタの要求事項/パワー・エレクトロニクスの基本となるアーム回路を構成する 高効率スイッチングを実現するためのトランジスタ駆動回路 ほか)/GE Articles(発生のメカニズムと家庭用電気/電子機器の実態 電源高調波電流の解析/高効率電源モジュールMPM01/04+部品3個で作れる 入力9〜40V、出力1.8〜24V/3AのコンパクトDCーDCコンバータ/コイル搭載で2.5×2.0×1.0mm DCーDCコンバータXCLシリーズの評価) 本シリーズでは、エレクトニクス技術について、エネルギーを扱うという観点からアプローチします。具体的には、電源回路、発電、電力変換、モータ駆動、照明などについて扱います。地球環境にやさしいエレクトロニクスの技術情報を紹介していきます。 本 科学・技術 工学 電気工学
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パワーMOS FETの高速スイッチング応用 [ 稲葉保(電子回路) ]パワーMOS FETの高速スイッチング応用 [ 稲葉保(電子回路) ]2,592送料無料
【楽天ブックスならいつでも送料無料】 実験で学ぶ高効率・低雑音スイッチング+E級アンプ Power electronics 稲葉保(電子回路) CQ出版発行年月:2011年08月 ページ数:207p サイズ:単行本 ISBN:9784789836081 稲葉保(イナバタモツ) 1948年千葉県に生まれる。1968年国立仙台電波高等学校専攻科卒業。1968年第1級無線通信士資格取得。1971年原電子測器(株)入社。1974年同社退社。1976年(株)日本サーキット・デザイン設立。現在同社代表取締役(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) パワーMOS FETスイッチングのあらまし/損失を低減するZCSとZVS、そしてE級アンプ/損失低減の要LCR共振回路/高周波出力のためのインピーダンス変換回路/フェーズ・シフトPWM技術をマスタする/フェーズ・シフトPWMによるZVS可変電源の設計/E級ZVSアンプ設計のあらまし/1MHz・5W E級ZVSアンプの設計/1MHz・300W出力E級アンプの設計/3.5MHz・150WプッシュプルE級アンプの設計/13.56MHzE級150W/500W高周波電源の設計/本書で使用しているパワーMOS FETについて/高周波スイッチング/共振型スイッチング回路に使用するコア/コイルやトランスに使用する巻き線について パワーMOS FETによるスイッチング技術は、電気エネルギー利用の高効率化に寄与していますが、併せて機器の小型化をも追及する高周波スイッチングへの応用では、スイッチング時の過渡的な損失をいかにして減らすかが大きな課題です。答えはソフト・スイッチング技術と呼ばれる方式ですが、本書ではその極みともいえる高効率・低雑音のE級アンプ技術を、実験と試作をとおしてやさしく解説します。 本 科学・技術 工学 電気工学
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パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540324
タイプ: IRF540 種類: n-ch 定格: 100V-27A-150W パッケージ: TO220
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タイプ:RFP50N06 種類: n-ch 定格: 60V-50A-131W-0.022ohm パッケージ: TO220
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※申し訳ございません、ただ今在庫切れとなっております。 タイプ: IRF530 種類: n-ch 定格: 100V-14A-79W パッケージ: TO220
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パワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パックパワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パック756
・修理用などに。ランダムに約20個がセット。 ※本製品は、処分パックのため何がセットされているかは お選びいただくことができません。ご了承ください。
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中古パワーモジュール。動作チェック済の安心良品。 商品詳細 同梱物・セット内容 品名 数量 PM45502C (パワーMOSFETモジュール) HITACHI (中古) 1個 仕様・諸元 型番:PM45502C メーカー:HITACHI TYPE:パワーMOSFETモジュール(Power MOSFET Module) 商品状態:中古品(USED) ※こちらの商品は数量に限りがございます。 (大量注文をご希望の場合はお問い合わせください) ご質問はjapan@kaitodenshi.jpまで、お気軽にお問い合わせください。 おことわり ※注意:この商品は新品ではありません、中古品です。 中古品の中でも良品を選別しておりますが 万が一、初期不良等ございましたら交換させていただきます。 画像は同一型番のものです。 当店、倉庫内在庫につき代表して1台のみ撮影しています。 (記載内容には誤記や漏れがあることがございます。)
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パワーMOSFET N-CH 200V-5.5A BUZ73AパワーMOSFET N-CH 200V-5.5A BUZ73A864
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【送料無料】 高速 & 高耐圧!パワーMOSFETの活用法 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いながら学ぶ… グリーン・エレクトロニクス / トランジスタ技術SPECIAL編集部 【本】【送料無料】 高速 & 高耐圧!パワーMOSFETの活用法 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いながら学ぶ… グリーン・エレクトロニクス / トランジスタ技術SPECIAL編集部 【本】3,888送料無料
基本情報ジャンル建築・理工フォーマット本出版社Cq出版発売日2012年11月ISBN9784789848381発売国日本サイズ・ページ111p 26cm(B5)関連キーワード トランジスタギジュツスペシャルヘンシュウブ 9784789848381 【FS_708-2】出荷目安の詳細はこちら>>楽天市場内検索 『在庫あり』表記について
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商品説明
■商品説明著:山崎浩出版社:日刊工業新聞社発行年月:2003年02月ISBN:9784526050718
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■商品説明著:李【キョン】烈出版社:日刊工業新聞社発行年月:2013年12月ISBN:9784526071720
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商品説明
■商品説明著:山崎浩出版社:日刊工業新聞社発行年月:2002年07月ISBN:9784526049750■内容紹介本書は、これからパワーMOSFETとIGBTを学び、実際に回路設計しようとする技術者を念頭に置き、素子の分類、動作原理、データシートの見方、特性改善、応用技術などをできるだけ易しく解説したもの。
さらに、応用回路例を分野別に示した。
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術3,024
著者名:山崎 浩 著 内容説明:パワーMOSFETとは、パワーMOSFETの構造と動作原理、特性、応用技術等について解説した実務書。技術変化に対応するため、大幅に加筆・修正し、設計演習を設け、実務力向上を目指した、1988年刊の第2版。【「TRC MARC」の商品解説】
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門2,700
著者名:山崎 浩 著 内容説明:パワーMOSFETやIGBTをパワーデバイスとして使うための上手な使い方、選び方を著者の経験を生かしたアドバイスをもとにやさしく解説した入門書。【「TRC MARC」の商品解説】
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門2,700
本書は、これからパワーMOSFETとIGBTを学び、実際に回路設計しようとする技術者を念頭に置き、素子の分類、動作原理、データシートの見方、特性改善、応用技術などをできるだけ易しく解説したもの。さらに、応用回路例を分野別に示した。
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術3,024
目覚しいデバイス技術、応用技術を加え、全面改訂を行うもの。とくに、最新の応用回路の充実を図るとともに、設計演習を設けることで実務カの向上を目指した。
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門2,376
半導体の基礎とダイオードの特性からはじめ、MOSFETの酸化膜構造と動作、構造、動作及び各パラメタの特性を説明。
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門2,376
著者名:李 【キョン】烈 著 内容説明:半導体物質で作られる電子デバイス・MOSFET。半導体の基礎やMOSFETの構造及び動作原理について詳しく解説し、各特性パラメータに関してもMOSFETの構造的な特性をベースに分析し説明。応用例も取り上げる。【「TRC MARC」の商品解説】
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高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法3,888
著者名:トランジスタ技術SPECIAL編集部 編集
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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子2,592
MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイス,IGBTの活用方法について詳解します.
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トランジスタ技術SPECIAL No.98トランジスタ技術SPECIAL No.982,376
パワーMOSFET1石のシンプルなスイッチング回路やフルブリッジ回路、PWM制御回路を実際に作り、実験しながらパワー・スイッチング回路を設計する技術を基礎からじっくり解説します。蛍光灯インバータやソーラ・インバータなど、実用的なパワー回路の設計事例も紹介。
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パワーMOS FET活用の基礎と実際パワーMOS FET活用の基礎と実際3,024
著者名:稲葉 保 著 内容説明:高効率・高速パワー・スイッチングの実現手段を、実験で具体的に解説。パワーMOSFETをうまく使いたい、安全・確実なパワー・エレクトロニクス回路を実現したいという人におすすめのテキスト。【「TRC MARC」の商品解説】
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トランジスタ技術SPECIAL No.117トランジスタ技術SPECIAL No.1172,376
最近は、新しいプロセスや素材を使った、小型、高効率なパワー・デバイスが誕生しています。本書では、中でも進化が著しい3 種類のパワー・デバイスMOSFET/ダイオード/IGBT の使い方や選び方を紹介します。
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パワーデバイスハンドブック 省エネ社会を実現!さらなる成長が見込まれるキーデバイスの最新動向パワーデバイスハンドブック 省エネ社会を実現!さらなる成長が見込まれるキーデバイスの最新動向12,960
パワーデバイスは省エネ社会を実現するキーデバイスとして半導体デバイスのなかでも将来有望な市場の1つとして考えられています。電装化が進む自動車分野では、生産台数の増加に加え、自動車1台あたりのECU搭載個数の上昇に伴い、パワーデバイスの需要が拡大しています。また、エアコンなどの白物家電分野でもインバーター搭載タイプの拡大により、今後の新興国市場を中心にさらなる拡大が見込まれている。技術革新も進んでおり、MOSFETではスーパージャンクション構造、IGBTではより高効率なフィールドストップ型の採用も進んでおります。さらにはSiC(シリコンカーバイド)やGaN(窒化ガリウム)といった新材料を用いた開発も進展、一部はすでに商用生産が始まっております。本誌「パワーデバイスハンドブック」では、さらなる成長が見込まれるパワーデバイス市場の動向をまとめるとともに、デバイス生産を支える装置・材料にもスポットを当てた1冊です。
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門2,376
発売日
2013/12/12
メーカー
日刊工業新聞社
ジャンル
電気電子工学
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術3,024
発売日
2003/02/28
メーカー
日刊工業新聞社
著者
山崎浩
ジャンル
電気電子工学
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門2,700
発売日
2002/07/31
メーカー
日刊工業新聞社
著者
山崎浩
ジャンル
電気電子工学
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オークションの検索結果

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