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パワーmosfet
通販 73 件
通販の検索結果
ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 20 A 3 ピン パッケージTO-220FM 1袋(2個入) R6020ENXROHM Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 20 A 3 ピン パッケージTO-220FM 1袋(2個入) R6020ENX2,518 円
- 汎用器具・消耗品/金属・樹脂実験必需2/実験室必需用品、器具その他 ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 20 A 3 ピン パッケージTO-220FM 1袋(2個入)●NチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHM●入数:1袋(2個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:20 A●最大ドレイン-ソース間電圧:600V●最大ドレイン-ソース間抵抗:200 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V●パッケージタイプ:TO-220FM●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:50W●1チップ当たりのエレメント数:1●RoHS適合状況:適合●コード番号:826-7541
【4個入】 パワーMOSFET FHP740 400V 7A N-Channel 電子工作 電子部品【4個入】 パワーMOSFET FHP740 400V 7A N-Channel 電子工作 電子部品620 円送料無料
- ※メール便発送のためお届けまでに「2日程度」かかります●FHP740【4個入】FEIHON製 ●ドレインソース電圧Vdss:400V ●ゲートソース電圧Vgss:±30V ●ドレイン電流Id:7A ●ドレインピーク電流Id(pulse):7A YMS大阪の商品は日本国内のアマゾン倉庫から発送されます
【3個セット】NCHパワーMOSFET 2SK2232(60V25A)【3個セット】NCHパワーMOSFET 2SK2232(60V25A)680 円送料無料
- ・個数:3個セット東芝セミコンダクター2SK2232 ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:60V ・ドレイン電流(DC):25A ・ドレイン・ソース間オン抵抗:0.057Ω ・許容損失(25℃):35W ・パッケージ:SC-67
【10個入】BS170 Nチャネル パワーMOSFET 60V 0.5A TO-92 小型スイッチング素子 電子工作・低電力回路に最適【10個入】BS170 Nチャネル パワーMOSFET 60V 0.5A TO-92 小型スイッチング素子 電子工作・低電力回路に最適650 円送料無料
- ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:60V ・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.2Ω ・許容損失(25℃):830mW ・パッケージ:TO-92
YMS PARTS 【20個入】NCHパワーMOSFET 2N7000 電子工作 電子部品YMS PARTS 【20個入】NCHパワーMOSFET 2N7000 電子工作 電子部品750 円送料無料
- ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:60V ・ドレイン電流(DC):200mA ・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.2Ω(代表値、VGS=10V、ID=500mA、25℃) ・許容損失(25℃):400mW ・パッケージ:TO-92 Nチャネルエンハンスメントタイプ MOSFETです。型番が2SK型番ではありませんが、汎用品としてお使い頂けます。パワーMOSFETのゲートドライブなどのスイッチング用途に最適です。
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 50 V 30 A 3 ピン パッケージTO-220AB 1袋(5個入) BUZ11-NR4941ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 50 V 30 A 3 ピン パッケージTO-220AB 1袋(5個入) BUZ11-NR49412,317 円
- 汎用器具・消耗品/金属・樹脂実験必需2/実験室必需用品、器具その他 ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 50 V 30 A 3 ピン パッケージTO-220AB 1袋(5個入)●強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor●強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。●この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。●入数:1袋(5個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:30 A●最大ドレイン-ソース間電圧:50V●最大ドレイン-ソース間抵抗:40 mΩ●最低ゲートしきい値電圧:2.1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V●パッケージタイプ:TO-220AB●実装タイプ:スルーホール●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:75W●標準入力キャパシタンス @Vds:1500 pF @ 25V●RoHS適合状況:適合●コード番号:761-3515
【3個入】NCHパワーMOSFET TK40A06N1(60V60A)電子工作 電子部品 YMS PARTS【3個入】NCHパワーMOSFET TK40A06N1(60V60A)電子工作 電子部品 YMS PARTS690 円送料無料
- ■主な仕様 ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン電流(DC):60A ・ドレイン・ソース間オン抵抗:8.4mΩ ・許容損失(25℃):30W ・パッケージ:TO-220SIS(SC-67/2-10R1B)
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン 1袋(5個入) FDN327N 1袋(5個入)ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン 1袋(5個入) FDN327N 1袋(5個入)831 円
- 実験室必需用品、器具その他 ●PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor●入数:1袋(5個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:2 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:70 mΩ●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:500 mW●標準ターンオフ遅延時間:14 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:671-0413
PENGLIN 10個 MOSFETトランジスタ IRF3205 IRF3205PBF 高速スイッチング Nチャンネル パワーMOSFET 55V 110APENGLIN 10個 MOSFETトランジスタ IRF3205 IRF3205PBF 高速スイッチング Nチャンネル パワーMOSFET 55V 110A1,368 円送料無料
- 製品名:IRF3205 MOSFETトランジスタ電圧:55V、電流:110A、抵抗:8mオームパッケージ:TO-220AB製品タイプ:MOSFET対象:電子DIYプロジェクト
【5個セット】パワー MOSFET 60V 5A 2SK4017【5個セット】パワー MOSFET 60V 5A 2SK4017680 円送料無料
- ※メール便発送のためお届けまでに「2日程度」かかりますリレー駆動、DCDCコンバータ、モータドライブ用 ■主な仕様 ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:60V ・ドレイン電流(DC):5A ・ドレイン・ソース間オン抵抗:0.07Ω ・許容損失(25℃):20W ・パッケージ:2-7J2B
2MI50F-050 パワーMOSFETモジュール FUJI 中古2MI50F-050 パワーMOSFETモジュール FUJI 中古6,000 円送料無料
- 商品詳細 同梱物・セット内容 品名 数量 2MI50F-050 (パワーMOSFETモジュール) FUJI (中古) 1個 仕様・諸元 型番:2MI50F-050 メーカー:FUJI TYPE:パワーMOSFETモジュール(Power MOSFET Module) 商品状態:中古品(USED) ※こちらの商品は数量に限りがございます。 (大量注文をご希望の場合はお問い合わせください) ご質問はjapan@kaitodenshi.jpまで、お気軽にお問い合わせください。 おことわり ※注意:この商品は新品ではありません、中古品です。 中古品の中でも良品を選別しておりますが 万が一、初期不良等ございましたら交換させていただきます。 画像は同一型番のものです。 当店、倉庫内在庫につき代表して1台のみ撮影しています。 (記載内容には誤記や漏れがあることがございます。)
DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガスイッチ駆動モジュール0-20KHz PWM調整電子スイッチ制御基板モーター速度制御ランプ輝度制御 34×17×12mmDC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガスイッチ駆動モジュール0-20KHz PWM調整電子スイッチ制御基板モーター速度制御ランプ輝度制御 34×17×12mm639 円送料無料
- 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ mosfet モジュール モータードライバ デュアルパワースイッチ pwmモジュール モータードライバモジュール 5v パワー 製品内容DC 5V-36V 15A(最大30A) 数量【A】3点セット【B】4点セット サイズ(約)34×17×12mm カラーブルー 保証期間お届け日より1ヶ月セット数をお選びください 動作電圧:DC 5V-36V; トリガーソース:デジタルハイロー(DC3.3V-20V); 連続電流:15A、冷却条件を強化、最大電流は最大30A。 電力:400W高信頼性、高可用性:ダブルMOSパラレルアクティブ出力を採用し、内部抵抗が低く、電流と電力が大きくなっています。 その上、それはほとんどのデバイスの使用法を満たし、リラックスした方法で大電力デバイスの制御を実現する一般的な温度の下で15A、400Wで動作します複数の信号源トリガーのサポート:マイクロコントローラーIOポート、PLCインターフェース、DC電源などを接続できます完壁なサポートPWM:PWM信号、信号周波数0～20KHZの完全なサポートにアクセスできます幅広いアプリケーション:電源装置、モーター、電球、LEDライト、DCモーター、マイクロポンプ、電磁弁などの出力を制御でき、PWMを入力し、モーター速度、ランプの明るさなどを制御できます サイズ(約) 34×17×12mm カラー ブルー 数量 【A】3点セット【B】4点セット 製品内容 DC 5V-36V 15A(最大30A) 保証期間 お届け日より1ヶ月
PM50502C パワーMOSFETモジュール HITACHI 中古PM50502C パワーMOSFETモジュール HITACHI 中古6,500 円送料無料
- 商品詳細 同梱物・セット内容 品名 数量 PM50502C (パワーMOSFETモジュール) HITACHI (中古) 1個 仕様・諸元 型番:PM50502C メーカー:HITACHI TYPE:パワーMOSFETモジュール(Power MOSFET Module) 商品状態:中古品(USED) ※こちらの商品は数量に限りがございます。 (大量注文をご希望の場合はお問い合わせください) ご質問はjapan@kaitodenshi.jpまで、お気軽にお問い合わせください。 おことわり ※注意:この商品は新品ではありません、中古品です。 中古品の中でも良品を選別しておりますが 万が一、初期不良等ございましたら交換させていただきます。 画像は同一型番のものです。 当店、倉庫内在庫につき代表して1台のみ撮影しています。 (記載内容には誤記や漏れがあることがございます。)
図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 李【キョン】烈/著図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 李【キョン】烈/著2,420 円
- 【コンビニ・銀行振込不可】 ■ISBN:9784526071720★日時指定・銀行振込をお受けできない商品になりますタイトル図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 李【キョン】烈/著ふりがなずでみてわかるぱわ-もすえふい-てい-ぎじゆつとかいろにゆうもん発売日201312出版社日刊工業新聞社ISBN9784526071720大きさ153P 21cm著者名李【キョン】烈/著
パワーMOSFETの応用技術第2版 [ 山崎浩 ]パワーMOSFETの応用技術第2版 [ 山崎浩 ]3,080 円送料無料
- 発売日
- 2003/02/28
- 商品説明
- 【楽天ブックスならいつでも送料無料】 山崎浩 日刊工業新聞社パワー モスフェット ノ オウヨウ ギジュツ ヤマザキ,ヒロシ 発行年月:2003年02月28日 予約締切日:2003年02月21日 ページ数:252p サイズ:単行本 ISBN:9784526050718 山崎浩(ヤマザキヒロシ) 1947年東京都に生まれる。1969年電気通信大学電気通信学部卒業(通信材料工学専攻)。同年東京三洋電機(株)(現三洋電機(株))半導体事業部入社。その後、サンケン電気(株)開発本部、富士エレクトロニックコンポーネンツ(株)応用開発室を経て、1987年に独立し、技術コンサルタントとして活躍中。技術士(電気部門)、中小企業診断士(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) 第1章 パワーMOSFETとは(パワーデバイスの分類/形状と端子配列 ほか)/第2章 パワーMOSFETの構造と動作原理(パワーMOSFETの構造/パワーMOSFETの作製 ほか)/第3章 パワーMOSFETの特性(データシートの見方/伝達特性 ほか)/第4章 応用技術(駆動回路/保護回路 ほか)/第5章 応用回路(電源回路/モータ制御回路 ほか) 本 科学・技術 工学 電気工学
パワーMOSFETの応用技術/山崎浩【3000円以上送料無料】パワーMOSFETの応用技術/山崎浩【3000円以上送料無料】3,080 円送料無料
- 著者山崎浩(著)出版社日刊工業新聞社発売日2003年02月ISBN9784526050718ページ数252Pキーワードぱわーもすえふいーていーのおうようぎじゆつ パワーモスエフイーテイーノオウヨウギジユツ やまざき ひろし ヤマザキ ヒロシ9784526050718目次第1章 パワーMOSFETとは(パワーデバイスの分類/形状と端子配列 ほか)/第2章 パワーMOSFETの構造と動作原理(パワーMOSFETの構造/パワーMOSFETの作製 ほか)/第3章 パワーMOSFETの特性(データシートの見方/伝達特性 ほか)/第4章 応用技術(駆動回路/保護回路 ほか)/第5章 応用回路(電源回路/モータ制御回路 ほか)
パワーMOSFET N-CH 100V-14A IRF530 2個パワーMOSFET N-CH 100V-14A IRF530 2個473 円
- ※申し訳ございません、ただ今在庫切れとなっております。 タイプ: IRF530 種類: n-ch 定格: 100V-14A-79W パッケージ: TO220
ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)1,370 円
- 高機能、高品質 1,000円以下の商品を見る 2,000円以下の商品を見る 3,000円以下の商品を見る 4,000円以下の商品を見る 5,000円以下の商品を見る 6,000円以下の商品を見る商品詳細 ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET) モーター・バッテリー・スイッチの配線を接続することで、 電動ガンのスイッチ保護とトリガーレスポンスの向上を図る ことが可能なコンパクトサイズのMOSFETです。 高電圧・高電流に耐え得る高い耐久性を持ち、内部抵抗も非常に小さいため熱の 発生が少なく、メカボックス内部のトラブルを防止すると同時に直感的な 射撃フィーリングを実現することができます。 また、逆起電力に起因するトラブルを防止するMOSFET保護回路も 組み込まれ電動ガンの長寿命化が期待できます。 【Features】 ・ハイパワーデュアルMOSFETドライバ ・逆起電力によるダメージから守る内蔵保護回路 ・トリガーレスポンスの向上と、熱の発生を防止するMOSFETドライバ ・インピーダンス(電気抵抗)を減少するXT-60コネクターと使用可能 ・低内部抵抗(並列接続):0.0009Ω ・熱収縮チューブ付属 ・最大入力電圧:16V ・最大電流:40A ・サイズ:19mm×10mm×4.7mm ・互換:電動エアソフトガン 【注意事項】 こちらの製品は海外製エアガンパーツです。 下記諸点をご理解の上、ご購入をお願い申し上げます。 ■パッケージの破損や汚れがある場合ございます。 ■通関時、検査がある為、開封、また使用痕がある場合ございます。
PM45302F パワーMOSFETモジュール HITACHI 中古PM45302F パワーMOSFETモジュール HITACHI 中古4,500 円送料無料
- 商品詳細 同梱物・セット内容 品名 数量 PM45302F (パワーMOSFETモジュール) HITACHI (中古) 1個 仕様・諸元 型番:PM45302F メーカー:HITACHI TYPE:パワーMOSFETモジュール(Power MOSFET Module) 商品状態:中古品(USED) ※こちらの商品は数量に限りがございます。 (大量注文をご希望の場合はお問い合わせください) ご質問はjapan@kaitodenshi.jpまで、お気軽にお問い合わせください。 おことわり ※注意:この商品は新品ではありません、中古品です。 中古品の中でも良品を選別しておりますが 万が一、初期不良等ございましたら交換させていただきます。 画像は同一型番のものです。 当店、倉庫内在庫につき代表して1台のみ撮影しています。 (記載内容には誤記や漏れがあることがございます。)
パワーMOSFET N-CH 60V-50A RFP50N06パワーMOSFET N-CH 60V-50A RFP50N06462 円
- タイプ:RFP50N06 種類: n-ch 定格: 60V-50A-131W-0.022ohm パッケージ: TO220
図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 [ 李□烈 ]図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 [ 李□烈 ]2,420 円送料無料
- 【楽天ブックスならいつでも送料無料】 李□烈 日刊工業新聞社ズ デ ミテ ワカル パワー モスフェット ギジュツ ト カイロ ニュウモン リ,キョンリョル 発行年月:2013年12月 ページ数:153p サイズ:単行本 ISBN:9784526071720 李〓烈(リキョンリョル) 韓国外国語大学校卒業。1999年9月〜2002年4月SEIKO EPSON Korea Branch(韓国ソウル)半導体の営業。2002年10月〜2003年11月沖電気工業株式会社(日本八王子市)半導体のマーケティング。2005年3月〜2012年4月東芝ディスクリートセミコンダクターテクノロジー株式会社(日本神奈川県川崎市)アプリケーションエンジニア。2012年5月〜現在、インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社(日本東京)アプリケーションエンジニア(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) 第1章 MOSFETを理解するための半導体の基礎/第2章 MOSFETの概要/第3章 MOSFETの絶対最大定格/第4章 電気的特性/第5章 特性グラフ/第6章 MOSFET使用時の注意点/第7章 MOSFETの応用 本 科学・技術 工学 電気工学
高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いなが (グリーン・エレクトロニクス) [ トランジスタ技術special編集部 ]高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いなが (グリーン・エレクトロニクス) [ トランジスタ技術special編集部 ]3,960 円送料無料
- 【楽天ブックスならいつでも送料無料】 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いなが グリーン・エレクトロニクス トランジスタ技術special編集部 CQ出版コウソク アンド コウタイアツ パワー モスフェット ノ カツヨウホウ トランジスタ ギジュツ スペシャル ヘンシュウブ 発行年月:2012年06月 ページ数:111p サイズ:単行本 ISBN:9784789848381 付属資料:実験用デバイス3/「トランジスタ技術SPECIAL」増刊 特集 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いながら学ぶ…高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法(高耐圧と高速性を両立させた新しいスーパージャンクションMOSFET PrestoMOSの特徴とラインナップ/ボディ・ダイオード特性を向上させたスーパージャンクションMOSFETが登場 MOSFETのボディ・ダイオードの重要性/降圧/昇圧コンバータのスイッチング素子を例にして パワー・エレクトロニクス回路で半導体素子に求められる特性/パワー・エレクトロニクス回路の変換効率を改善させる 同期整流回路とスイッチング・トランジスタの要求事項/パワー・エレクトロニクスの基本となるアーム回路を構成する 高効率スイッチングを実現するためのトランジスタ駆動回路 ほか)/GE Articles(発生のメカニズムと家庭用電気/電子機器の実態 電源高調波電流の解析/高効率電源モジュールMPM01/04+部品3個で作れる 入力9〜40V、出力1.8〜24V/3AのコンパクトDCーDCコンバータ/コイル搭載で2.5×2.0×1.0mm DCーDCコンバータXCLシリーズの評価) 本シリーズでは、エレクトニクス技術について、エネルギーを扱うという観点からアプローチします。具体的には、電源回路、発電、電力変換、モータ駆動、照明などについて扱います。地球環境にやさしいエレクトロニクスの技術情報を紹介していきます。 本 科学・技術 工学 電気工学
【中古】 よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門/山崎浩(著者)【中古】 よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門/山崎浩(著者)
- 山崎浩(著者)販売会社/発売会社:日刊工業新聞社発売年月日:2002/07/31JAN:9784526049750
パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540330 円
- タイプ: IRF540 種類: n-ch 定格: 100V-27A-150W パッケージ: TO220
【中古】 高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いながら学ぶ… グリーン・エレクトロニクスNo.8/トランジスタ技術SPECIAL編集部【編】【中古】 高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いながら学ぶ… グリーン・エレクトロニクスNo.8/トランジスタ技術SPECIAL編集部【編】
- トランジスタ技術SPECIAL編集部【編】販売会社/発売会社:CQ出版発売年月日:2012/06/01JAN:9784789848381
図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門/李【キョン】烈【1000円以上送料無料】図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門/李【キョン】烈【1000円以上送料無料】2,420 円送料無料
- 著者李【キョン】烈(著)出版社日刊工業新聞社発売日2013年12月ISBN9784526071720ページ数153Pキーワードずでみてわかるぱわーもすえふいーていー ズデミテワカルパワーモスエフイーテイー り きよんりる リ キヨンリル9784526071720目次第1章 MOSFETを理解するための半導体の基礎/第2章 MOSFETの概要/第3章 MOSFETの絶対最大定格/第4章 電気的特性/第5章 特性グラフ/第6章 MOSFET使用時の注意点/第7章 MOSFETの応用
FDF60BA60 パワーMOSFETモジュール SanRex 中古FDF60BA60 パワーMOSFETモジュール SanRex 中古4,500 円送料無料
- 商品詳細 同梱物・セット内容 品名 数量 FDF60BA60 (パワーMOSFETモジュール) SanRex (中古) 1個 仕様・諸元 型番:FDF60BA60 メーカー:SanRex TYPE:パワーMOSFETモジュール(Power MOSFET Module) 商品状態:中古品(USED) ※こちらの商品は数量に限りがございます。 (大量注文をご希望の場合はお問い合わせください) ご質問はjapan@kaitodenshi.jpまで、お気軽にお問い合わせください。 おことわり ※注意:この商品は新品ではありません、中古品です。 中古品の中でも良品を選別しておりますが 万が一、初期不良等ございましたら交換させていただきます。 画像は同一型番のものです。 当店、倉庫内在庫につき代表して1台のみ撮影しています。 (記載内容には誤記や漏れがあることがございます。)
オムロン G70D-VFOM16 DC24 リレーターミナル パワーMOSFETリレー出力 16点(1a×16) NPN対応((+)コモン)オムロン G70D-VFOM16 DC24 リレーターミナル パワーMOSFETリレー出力 16点(1a×16) NPN対応((+)コモン)40,572 円送料無料
- G70D-VFOM16 DC24 リレーターミナル パワーMOSFETリレー出力 16点(1a×16) NPN対応((+)コモン)
オムロン G3DZ-2R6PL DC24 パワーMOSFETリレー MOS-FET出力形 (プリント基板用) 入力: DC24V、出力: 0.6A AC5〜240V/0.6A DC5〜100V、1a、プリント基板端子オムロン G3DZ-2R6PL DC24 パワーMOSFETリレー MOS-FET出力形 (プリント基板用) 入力: DC24V、出力: 0.6A AC5〜240V/0.6A DC5〜100V、1a、プリント基板端子1,500 円楽天市場FAUbon 楽天市場店
パワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パックパワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パック990 円
- ・修理用などに。ランダムに約20個がセット。 ※本製品は、処分パックのため何がセットされているかは お選びいただくことができません。ご了承ください。
omron ターミナルリレー パワーMOSFETリレー出力 接点構成:1a×4 定格電圧:DC12(G3DZ-4B DC24)omron ターミナルリレー パワーMOSFETリレー出力 接点構成:1a×4 定格電圧:DC12(G3DZ-4B DC24)17,904 円送料無料
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- 商品説明
- omron ターミナルリレー パワーMOSFETリ 【カテゴリー】 その他切削工具【商品名】 omron ターミナルリレー パワーMOSFETリレー出力 接点構成:1a×4 定格電圧:DC12(G3DZ-4B DC24)【ブランド】 オムロン(OMRON) 【商品説明】 ・パワーMOSFETリレー出力・定格電圧:DC12・接点構成:1a×4 【サイズ】 高さ : 3.48 cm 横幅 : 5.40 cm 奥行 : 11.28 cm 重量 : 100.0 g ※梱包時のサイズとなります。商品自体のサイズではございませんのでご注意ください。
ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)1,370 円レビューを見る
- 高機能、高品質 【関連検索ワード】 モスフェット mosfet AceMOS NANO Unit#####ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)モーター・バッテリー・スイッチの配線を接続することで、電動ガンのスイッチ保護とトリガーレスポンスの向上を図ることが可能なコンパクトサイズのMOSFETです。高電圧・高電流に耐え得る高い耐久性を持ち、内部抵抗も非常に小さいため熱の発生が少なく、メカボックス内部のトラブルを防止すると同時に直感的な射撃フィーリングを実現することができます。また、逆起電力に起因するトラブルを防止するMOSFET保護回路も組み込まれ電動ガンの長寿命化が期待できます。【Features】・ハイパワーデュアルMOSFETドライバ・逆起電力によるダメージから守る内蔵保護回路・トリガーレスポンスの向上と、熱の発生を防止するMOSFETドライバ・インピーダンス(電気抵抗)を減少するX…続きを読む(↓)
パワーMOSFETの応用技術/山崎浩パワーMOSFETの応用技術/山崎浩
- 著:山崎浩出版社:日刊工業新聞社発売日:2003年02月キーワード:パワーMOSFETの応用技術山崎浩 ぱわーもすえふいーていーのおうようぎじゆつ パワーモスエフイーテイーノオウヨウギジユツ やまざき ひろし ヤマザキ ヒロシ
よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門/山崎浩よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門/山崎浩
- 出版社名:日刊工業新聞社著者名:山崎浩発行年月:2002年07月キーワード:ヨク ワカル パワー モスフェット アイジービーティー ニュウモン*ヨク ワカル パワー MOSFET IGBT ニュウモン、ヤマザキ,ヒロシ
2MI50F-050 パワーMOSFETモジュール FUJI 中古2MI50F-050 パワーMOSFETモジュール FUJI 中古6,000 円送料無料Yahoo!ショッピングKaito Shop
Nチャンネル パワーMOSFET 55 V 51 A 3 ピン パッケージTO-220AB 1袋 (5個入) IRLZ44ZPBFNチャンネル パワーMOSFET 55 V 51 A 3 ピン パッケージTO-220AB 1袋 (5個入) IRLZ44ZPBF1,588 円
- ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-4966-50/●事業者向け商品です。●入数:1袋(5個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:51 A●最大ドレイン-ソース間電圧:55V●最大ドレイン-ソース間抵抗:14 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-16V, +16V●パッケージタイプ:TO-220AB●実装タイプ:スルーホール●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:80W●標準ターンオフ遅延時間:25 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:688-7308
パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540レビューを見る
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パワーMOSFETの応用技術/山崎浩パワーMOSFETの応用技術/山崎浩
- 著:山崎浩出版社:日刊工業新聞社発売日:2003年02月キーワード:パワーMOSFETの応用技術山崎浩 ぱわーもすえふいーていーのおうようぎじゆつ パワーモスエフイーテイーノオウヨウギジユツ やまざき ひろし ヤマザキ ヒロシ
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術
- 本 ISBN:9784526050718 山崎浩/著 出版社:日刊工業新聞社 出版年月:2003年02月 サイズ:252P 21cm 工学 ≫ 電気電子工学 [ 電子回路 ] パワ- モス エフイ-テイ- ノ オウヨウ ギジユツ 登録日:2013/04/03 ※ページ内の情報は告知なく変更になることがあります。
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Nチャンネル パワーMOSFET 1000 V 12 A 3 ピン パッケージTO-247 IXYS IXTH12N100L (63-4961-22)Nチャンネル パワーMOSFET 1000 V 12 A 3 ピン パッケージTO-247 IXYS IXTH12N100L (63-4961-22)5,319 円送料無料
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ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET 30 V 8.8 A 8 ピン パッケージSOIC FDS4435BZ (63-4936-02)ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET 30 V 8.8 A 8 ピン パッケージSOIC FDS4435BZ (63-4936-02)1,265 円送料無料
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パワーMOSFET N-CH 100V-14A IRF530 2個パワーMOSFET N-CH 100V-14A IRF530 2個
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- ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-5137-14/●事業者向け商品です。●入数:1袋(2個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:20 A●最大ドレイン-ソース間電圧:600V●最大ドレイン-ソース間抵抗:200 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V●パッケージタイプ:TO-220FM●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:50W●1チップ当たりのエレメント数:1●RoHS適合状況:適合●コード番号:826-7541
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DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガスイッチ駆動モジュール0-20KHz PWM調整電子DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガスイッチ駆動モジュール0-20KHz PWM調整電子750 円送料無料レビューを見る
- 発売日
- 2024/12/10
- 商品説明
- 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ mosfet 動作電圧:DC 5V-36V; トリガーソース:デジタルハイロー(DC3.3V-20V); 連続電流:15A、冷却条件を強化、最大電流は最大30A。 電力:400WダブルMOSパラレルアクティブ出力を採用し、内部抵抗が低く、電流と電力が大きくなっています。その上ほとんどのデバイスの使用法を満たし、リラックスした方法で大電力デバイスの制御を実現する一般的な温度の下で15A、400Wで動作します複数の信号源トリガーのサポート:マイクロコントローラーIOポート、PLCインターフェース、DC電源などを接続できます完壁なサポートPWM:PWM信号、信号周波数0〜20KHZの完全なサポートにアクセスできます幅広いアプリケーション:電源装置、モーター、電球、LEDライト、DCモーター、マイクロポンプ、電磁弁などの出力を制御でき、PWMを入力し、モーター速度、ランプの明るさなどを制御できますサイズ (約) 34×17×12mmカラー ブルー数量 【A】3点セット【B】4点セット製品内容 DC 5V-36V 15A(最大30A)保証期間 お届け日より1ヶ月
パワーMOSFET N-CH 200V-2.5A IRF610 2個パワーMOSFET N-CH 200V-2.5A IRF610 2個
- タイプ: IRF610種類: n-ch定格: 200V-2.5A-20Wパッケージ: TO220
図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門/李【キョン】烈図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門/李【キョン】烈
- 著:李【キョン】烈出版社:日刊工業新聞社発売日:2013年12月キーワード:図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門李【キョン】烈 ずでみてわかるぱわーもすえふいーていー ズデミテワカルパワーモスエフイーテイー り きよんりる リ キヨンリル
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術
- 本 ISBN:9784526050718 山崎浩/著 出版社:日刊工業新聞社 出版年月:2003年02月 サイズ:252P 21cm 工学 ≫ 電気電子工学 [ 電子回路 ] パワ- モス エフイ-テイ- ノ オウヨウ ギジユツ 登録日:2013/04/03 ※ページ内の情報は告知なく変更になることがあります。
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李キョン烈/図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門[9784526071720]李キョン烈/図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門[9784526071720]
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五十嵐征輝/OD>パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 Power electronics[9784789853002]五十嵐征輝/OD>パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子 Power electronics[9784789853002]
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稲葉保/パワーMOSFETの高速スイッチング応用 実験で学ぶ高効率・低雑音スイッチング+E級アンプ POWER ELECTRONICS[9784789836081]稲葉保/パワーMOSFETの高速スイッチング応用 実験で学ぶ高効率・低雑音スイッチング+E級アンプ POWER ELECTRONICS[9784789836081]
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- 最近は、新しいプロセスや素材を使った、小型、高効率なパワー・デバイスが誕生しています。本書では、中でも進化が著しい3 種類のパワー・デバイスMOSFET/ダイオード/IGBT の使い方や選び方を紹介します。
エンジニアの悩みを解決パワーエレクトロニクス パワーデバイスを使いこなす設計・計測・自動車への展開エンジニアの悩みを解決パワーエレクトロニクス パワーデバイスを使いこなす設計・計測・自動車への展開4,730 円
- 【本書の目的】 パワーエレクトロニクスに関わっている研究者・技術者の方から、パワーデバイス、電気自動車、計測技術について学びたいという声をよく聞きます。本書は、この3項目を取り上げ、研究者や技術者の疑問を解決するのが目的です。【読者対象】2章?6章のパワーデバイスは、パワーエレクトロニクスの初学者はもちろん、パワーエレクトロニクスに携わっている技術者、研究者も幅広く活用できるよう構成しました。7、8章の電気自動車と9、10章の計測技術は、すでにパワーエレクトロにするに携わっている技術者、研究者を対象としています。【本書の特徴】 パワーデバイス、電気自動車、計測技術の理解を深めるため、次の特徴を持って書いています。。◎パワーデバイスを使いこなすための半導体物性と適用のノウハウを記載パワーデバイスを使いこなすためには、半導体物性という物理現象と安定的に動作させるノウハウが必要です。2章で、デバイス理解に必要とされる項目と数式を抽出し、半導体物性について分かりやすく説明しました。3?5章で、こうした物理現象とデバイス特性との関係を説明、6章でゲート回路、デバイス選択など使いこなしノウハウを紹介しました。◎実際のハイブリッドカーに搭載されたパワーコントロールユニットの解体調査 電気自動車の心臓部となるパワーユニットについて、2代目プリウムを解体し、そのパワーコントロールユニットの構造、動作特性について、写真と図を交えながら詳しく説明しています。◎電気自動車に使われる受動素子の設計方法 電気自動車で使用するコンデンサ、インダクタ、抵抗について、その原理、種類と特徴、設計方法、設計ノウハウについて、数式と具体例を挙げて解説しています。◎パワエレで必要とされる具体的な測定例を紹介 個人的なスキルに依存しているパワーエレクトロニクスの測定技術について、計測メーカの現役エンジニアが、測定の基礎とノウハウについて、体系的に解説しています。また、具体的な測定事例として、モータ駆動用インバータ、ワイドバンド半導体GaN、磁性材材料の特性、実際の車のPCU特性、を取り上げています。【著者からのメッセージ】 物事を理解するためは、現物や実際の現象を経験するのが一番です。そこで、本書では、必要に応じて、「実際の〇〇を測ってみると・・・」「実際の〇〇を調べてみると・・・」の項目を設けています。ダイオード、GaNデバイス、MOSFET、IGBTの動作波形を掲載しています。また、市販されているハイブリッドカーのインバータと双方向チョッパの測定方法、測定波形と紹介しています。このテキストを読んで、エンジニア・研究者の皆さんが、これまでの悩みや疑問を解決できる一助となることを期待しています。
トランジスタ技術SPECIAL No.139 実践式!トランジスタ回路の読解き方&組合せ方入門 1石アンプからカスタム・アナログまでトランジスタ技術SPECIAL No.139 実践式!トランジスタ回路の読解き方&組合せ方入門 1石アンプからカスタム・アナログまで2,640 円
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門2,420 円
- 発売日
- 2013/12/12
- メーカー
- 日刊工業新聞社
パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術3,080 円
- 発売日
- 2003/02/28
- メーカー
- 日刊工業新聞社
- 著者
- 山崎浩
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