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パワーmosfet

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YMS PARTS【3個セット】NCHパワーMOSFET 2SK2232(60V25A)YMS PARTS【3個セット】NCHパワーMOSFET 2SK2232(60V25A)680送料無料
・個数:3個セット東芝セミコンダクター2SK2232・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・ドレイン・ソース間電圧:60V・ゲート・ソース間電圧:±20V・ドレイン・ゲート間電圧:60V・ドレイン電流(DC):25A ・ドレイン・ソース間オン抵抗:0.057Ω・許容損失(25℃):35W ・パッケージ:SC-67
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ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 20 A 3 ピン パッケージTO-220FM 1袋(2個入) R6020ENXROHM Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 20 A 3 ピン パッケージTO-220FM 1袋(2個入) R6020ENX879
汎用器具・消耗品/金属・樹脂実験必需2/実験室必需用品、器具その他 ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 600 V 20 A 3 ピン パッケージTO-220FM 1袋(2個入)●NチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHM●入数:1袋(2個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:20 A●最大ドレイン-ソース間電圧:600V●最大ドレイン-ソース間抵抗:200 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V●パッケージタイプ:TO-220FM●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:50W●1チップ当たりのエレメント数:1●RoHS適合状況:適合●コード番号:826-7541
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【3個入】PCHパワーMOSFET 2SJ334(60V30A)電子工作 電子部品【3個入】PCHパワーMOSFET 2SJ334(60V30A)電子工作 電子部品600送料無料
※メール便発送のためお届けまでに「3日~4日程度」かかります・個数:3個セット東芝セミコンダクター2SJ334 ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:P ・ドレイン・ソース間電圧:-60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:-60V ・ドレイン電流(DC):30A ・ドレイン・ソース間オン抵抗:29mΩ ・許容損失(25℃):45W ・パッケージ:SC-67
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YMS PARTS 【20個入】NCHパワーMOSFET 2N7000 電子工作 電子部品YMS PARTS 【20個入】NCHパワーMOSFET 2N7000 電子工作 電子部品600送料無料
※メール便発送のためお届けまでに「3日~4日程度」かかります・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:60V ・ドレイン電流(DC):200mA ・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.2Ω(代表値、VGS=10V、ID=500mA、25℃) ・許容損失(25℃):400mW ・パッケージ:TO-92 Nチャネルエンハンスメントタイプ MOSFETです。型番が2SK型番ではありませんが、汎用品としてお使い頂けます。パワーMOSFETのゲートドライブなどのスイッチング用途に最適です。
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【5個セット】パワーMOSFET 60V 5A 2SK4017 電子工作 電子部品【5個セット】パワーMOSFET 60V 5A 2SK4017 電子工作 電子部品650送料無料
※メール便発送のためお届けまでに「2日程度」かかりますリレー駆動、DCDCコンバータ、モータドライブ用 ■主な仕様 ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:60V ・ドレイン電流(DC):5A ・ドレイン・ソース間オン抵抗:0.07Ω ・許容損失(25℃):20W ・パッケージ:2-7J2B
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【5個セット】パワーMOSFET 60V 5A 2SJ681 電子工作 電子部品【5個セット】パワーMOSFET 60V 5A 2SJ681 電子工作 電子部品650送料無料
※メール便発送のためお届けまでに「3日~4日程度」かかります○リレー駆動、DC-DCコンバータ用 ○モータドライブ用 ■主な仕様 ・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:P ・ドレイン・ソース間電圧:-60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:-60V ・ドレイン電流(DC):5A ・ドレイン・ソース間オン抵抗:0.12Ω ・許容損失(25℃):20W ・パッケージ:2-7J2B
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【5個入】DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガースイッチドライブモジュール基板 0-20KHzPWM制御 モーター制御 Arduino Raspberry Pi向け 電子工作 電子部品【5個入】DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガースイッチドライブモジュール基板 0-20KHzPWM制御 モーター制御 Arduino Raspberry Pi向け 電子工作 電子部品750送料無料
※メール便のため到着に2日かかります技術仕様: 動作電圧:DC 5V-36V 出力容量:DC 5V-36V、連続電流15A、電力400W、冷却条件の強化、最大電流30A 用途:PWM制御、電源装置、モーター、電球、LEDライト、DCモーター、マイクロポンプ、電磁弁などの制御 動作温度:-40-85℃ 寸法:34mm * 17mm * 12mm / 1.34*0.67*0.47インチ(L*W*H) 製品の販売だけをしており、製品に関する技術的なサポートを提供できかねますのでご了承ください。
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【4個入】パワーMOSFET FHP740 400V 7A N-Channel 電子工作 電子部品【4個入】パワーMOSFET FHP740 400V 7A N-Channel 電子工作 電子部品600送料無料
※メール便発送のためお届けまでに「2日程度」かかります●FHP740【4個入】FEIHON製 ●ドレインソース電圧Vdss:400V ●ゲートソース電圧Vgss:±30V ●ドレイン電流Id:7A ●ドレインピーク電流Id(pulse):7A YMS大阪の商品は日本国内のアマゾン倉庫から発送されます
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[マラソン期間中ポイント5倍]PENGLIN 10個 MOSFETトランジスタ IRF3205 IRF3205PBF 高速スイッチング Nチャンネル パワーMOSFET 55V 110A[マラソン期間中ポイント5倍]PENGLIN 10個 MOSFETトランジスタ IRF3205 IRF3205PBF 高速スイッチング Nチャンネル パワーMOSFET 55V 110A1,689送料無料
製品名:IRF3205 MOSFETトランジスタ電圧:55V、電流:110A、抵抗:8mオームパッケージ:TO-220AB製品タイプ:MOSFET対象:電子DIYプロジェクト
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YMS PARTS 【10個セット】NCHパワーMOSFET BS170(60V25A)YMS PARTS 【10個セット】NCHパワーMOSFET BS170(60V25A)650送料無料
※メール便発送のため到着に2日程かかります・構造:MOSFET ・回路数:1 ・チャネル:N ・ドレイン・ソース間電圧:60V ・ゲート・ソース間電圧:±20V ・ドレイン・ゲート間電圧:60V ・ドレイン・ソース間オン抵抗:1.2Ω ・許容損失(25℃):830mW ・パッケージ:TO-92
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ROHM ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 3 A 表面実装 パッケージSOT-346T 3 ピン 1袋(50個入) RQ5E030AJTCL 1袋(50個入)ROHM ROHM Nチャンネル パワーMOSFET 3 A 表面実装 パッケージSOT-346T 3 ピン 1袋(50個入) RQ5E030AJTCL 1袋(50個入)3,519
実験室必需用品、器具その他 ●入数:1袋(50個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:3 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:109 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.5V●最低ゲートしきい値電圧:0.5V●最大ゲート-ソース間電圧:±12 V●パッケージタイプ:SOT-346T●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1 W●標準入力キャパシタンス @ Vds:240 pF @ 15 V●RoHS適合状況:適合●コード番号:150-1514
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ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 10 A 3 ピン パッケージIPAK (TO-251) 1袋(5個入) FQU13N10LTUON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 10 A 3 ピン パッケージIPAK (TO-251) 1袋(5個入) FQU13N10LTU570
汎用器具・消耗品/金属・樹脂実験必需2/実験室必需用品、器具その他 ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 10 A 3 ピン パッケージIPAK (TO-251) 1袋(5個入)●QFET(R) NチャンネルMOSFET、6→10.9 A、Fairchild Semiconductor●Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。●これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。●高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。●入数:1袋(5個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:10 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100V●最大ドレイン-ソース間抵抗:180 mΩ●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V●パッケージタイプ:IPAK (TO-251)●実装タイプ:スルーホール●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2500mW●標準入力キャパシタンス @Vds:400 pF @ 25V●RoHS適合状況:適合●コード番号:671-5348
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DiodesZetex デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 6.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋(20個入) DMN6040SSD-13DiodesZetex デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 6.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1袋(20個入) DMN6040SSD-131,362
汎用器具・消耗品 金属・樹脂実験必需2 実験室必需用品、器具その他 ●デュアルNチャンネルMOSFET、DiodesInc.●入数:1袋(20個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:6.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:55 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.7 W●幅:3.95mm●RoHS適合状況:適合●コード番号:823-4018
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ROHM N+Pチャンネル パワーMOSFET 表面実装 パッケージHSOP 8 ピン 1袋(10個入) HP8MA2TB1 1袋(10個入)ROHM N+Pチャンネル パワーMOSFET 表面実装 パッケージHSOP 8 ピン 1袋(10個入) HP8MA2TB1 1袋(10個入)2,420
実験室必需用品、器具その他 ●入数:1袋(10個入)●チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:15 A (Pチャンネル), 18 A (Nチャンネル)●最大ドレイン-ソース間電圧:30 (Nチャンネル) V、30 (Pチャンネル) V●最大ドレイン-ソース間抵抗:16.5 mΩ (Nチャンネル), 29 mΩ (Pチャンネル)●最大ゲートしきい値電圧:2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V●最低ゲートしきい値電圧:1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V●最大ゲート-ソース間電圧:±20 V (Nチャンネル), ±20 V (Pチャンネル)●パッケージタイプ:HSOP●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:7 W●幅:5.8mm●RoHS適合状況:該当なし●コード番号:178-5964
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DiodesZetex Nチャンネル パワーMOSFET 1 A 表面実装 パッケージSOT-323 (SC-70) 3 ピン 1袋(100個入) DMG1012UW-7 1袋(100個入)DiodesZetex Nチャンネル パワーMOSFET 1 A 表面実装 パッケージSOT-323 (SC-70) 3 ピン 1袋(100個入) DMG1012UW-7 1袋(100個入)1,323
実験室必需用品、器具その他 ●NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc●入数:1袋(100個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:1 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:750 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-6 V, +6 V●パッケージタイプ:SOT-323 (SC-70)●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:290 mW●標準ターンオフ遅延時間:26.7 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:751-4073
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2MI50F-050 (1個) パワーMOSFETモジュール FUJI 【中古】2MI50F-050 (1個) パワーMOSFETモジュール FUJI 【中古】6,000送料無料
商品詳細 同梱物・セット内容 品名 数量 2MI50F-050 (パワーMOSFETモジュール) FUJI (中古) 1個 仕様・諸元 型番:2MI50F-050 メーカー:FUJI TYPE:パワーMOSFETモジュール(Power MOSFET Module) 商品状態:中古品(USED) ※こちらの商品は数量に限りがございます。 (大量注文をご希望の場合はお問い合わせください) ご質問はjapan@kaitodenshi.jpまで、お気軽にお問い合わせください。 おことわり ※注意:この商品は新品ではありません、中古品です。 中古品の中でも良品を選別しておりますが 万が一、初期不良等ございましたら交換させていただきます。 画像は同一型番のものです。 当店、倉庫内在庫につき代表して1台のみ撮影しています。 (記載内容には誤記や漏れがあることがございます。)
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ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)1,320
高機能、高品質 1,000円以下の商品を見る 2,000円以下の商品を見る 3,000円以下の商品を見る 4,000円以下の商品を見る 5,000円以下の商品を見る 6,000円以下の商品を見る商品詳細 ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET) モーター・バッテリー・スイッチの配線を接続することで、 電動ガンのスイッチ保護とトリガーレスポンスの向上を図る ことが可能なコンパクトサイズのMOSFETです。 高電圧・高電流に耐え得る高い耐久性を持ち、内部抵抗も非常に小さいため熱の 発生が少なく、メカボックス内部のトラブルを防止すると同時に直感的な 射撃フィーリングを実現することができます。 また、逆起電力に起因するトラブルを防止するMOSFET保護回路も 組み込まれ電動ガンの長寿命化が期待できます。 【Features】 ・ハイパワーデュアルMOSFETドライバ ・逆起電力によるダメージから守る内蔵保護回路 ・トリガーレスポンスの向上と、熱の発生を防止するMOSFETドライバ ・インピーダンス(電気抵抗)を減少するXT-60コネクターと使用可能 ・低内部抵抗(並列接続):0.0009Ω ・熱収縮チューブ付属 ・最大入力電圧:16V ・最大電流:40A ・サイズ:19mm×10mm×4.7mm ・互換:電動エアソフトガン 【注意事項】 こちらの製品は海外製エアガンパーツです。 下記諸点をご理解の上、ご購入をお願い申し上げます。 ■パッケージの破損や汚れがある場合ございます。 ■通関時、検査がある為、開封、また使用痕がある場合ございます。
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 [ 李□烈 ]図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 [ 李□烈 ]2,420送料無料
【楽天ブックスならいつでも送料無料】 李□烈 日刊工業新聞社ズ デ ミテ ワカル パワー モスフェット ギジュツ ト カイロ ニュウモン リ,キョンリョル 発行年月:2013年12月 ページ数:153p サイズ:単行本 ISBN:9784526071720 李〓烈(リキョンリョル) 韓国外国語大学校卒業。1999年9月〜2002年4月SEIKO EPSON Korea Branch(韓国ソウル)半導体の営業。2002年10月〜2003年11月沖電気工業株式会社(日本八王子市)半導体のマーケティング。2005年3月〜2012年4月東芝ディスクリートセミコンダクターテクノロジー株式会社(日本神奈川県川崎市)アプリケーションエンジニア。2012年5月〜現在、インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社(日本東京)アプリケーションエンジニア(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) 第1章 MOSFETを理解するための半導体の基礎/第2章 MOSFETの概要/第3章 MOSFETの絶対最大定格/第4章 電気的特性/第5章 特性グラフ/第6章 MOSFET使用時の注意点/第7章 MOSFETの応用 本 科学・技術 工学 電気工学
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高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いなが (グリーン・エレクトロニクス) [ トランジスタ技術special編集部 ]高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いなが (グリーン・エレクトロニクス) [ トランジスタ技術special編集部 ]3,960送料無料
【楽天ブックスならいつでも送料無料】 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いなが グリーン・エレクトロニクス トランジスタ技術special編集部 CQ出版コウソク アンド コウタイアツ パワー モスフェット ノ カツヨウホウ トランジスタ ギジュツ スペシャル ヘンシュウブ 発行年月:2012年06月 ページ数:111p サイズ:単行本 ISBN:9784789848381 付属資料:実験用デバイス3/「トランジスタ技術SPECIAL」増刊 特集 付属デバイス“PrestoMOS”を実際に使いながら学ぶ…高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法(高耐圧と高速性を両立させた新しいスーパージャンクションMOSFET PrestoMOSの特徴とラインナップ/ボディ・ダイオード特性を向上させたスーパージャンクションMOSFETが登場 MOSFETのボディ・ダイオードの重要性/降圧/昇圧コンバータのスイッチング素子を例にして パワー・エレクトロニクス回路で半導体素子に求められる特性/パワー・エレクトロニクス回路の変換効率を改善させる 同期整流回路とスイッチング・トランジスタの要求事項/パワー・エレクトロニクスの基本となるアーム回路を構成する 高効率スイッチングを実現するためのトランジスタ駆動回路 ほか)/GE Articles(発生のメカニズムと家庭用電気/電子機器の実態 電源高調波電流の解析/高効率電源モジュールMPM01/04+部品3個で作れる 入力9〜40V、出力1.8〜24V/3AのコンパクトDCーDCコンバータ/コイル搭載で2.5×2.0×1.0mm DCーDCコンバータXCLシリーズの評価) 本シリーズでは、エレクトニクス技術について、エネルギーを扱うという観点からアプローチします。具体的には、電源回路、発電、電力変換、モータ駆動、照明などについて扱います。地球環境にやさしいエレクトロニクスの技術情報を紹介していきます。 本 科学・技術 工学 電気工学
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PM50502C (1個) パワーMOSFETモジュール HITACHI 【中古】PM50502C (1個) パワーMOSFETモジュール HITACHI 【中古】6,500送料無料
商品詳細 同梱物・セット内容 品名 数量 PM50502C (パワーMOSFETモジュール) HITACHI (中古) 1個 仕様・諸元 型番:PM50502C メーカー:HITACHI TYPE:パワーMOSFETモジュール(Power MOSFET Module) 商品状態:中古品(USED) ※こちらの商品は数量に限りがございます。 (大量注文をご希望の場合はお問い合わせください) ご質問はjapan@kaitodenshi.jpまで、お気軽にお問い合わせください。 おことわり ※注意:この商品は新品ではありません、中古品です。 中古品の中でも良品を選別しておりますが 万が一、初期不良等ございましたら交換させていただきます。 画像は同一型番のものです。 当店、倉庫内在庫につき代表して1台のみ撮影しています。 (記載内容には誤記や漏れがあることがございます。)
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パワーMOSFET N-CH 100V-14A IRF530 2個パワーMOSFET N-CH 100V-14A IRF530 2個473
※申し訳ございません、ただ今在庫切れとなっております。 タイプ: IRF530 種類: n-ch 定格: 100V-14A-79W パッケージ: TO220
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パワーMOSFETの応用技術第2版 [ 山崎浩 ]パワーMOSFETの応用技術第2版 [ 山崎浩 ]3,080送料無料
発売日
2003/02/28
商品説明
【楽天ブックスならいつでも送料無料】 山崎浩 日刊工業新聞社パワー モスフェット ノ オウヨウ ギジュツ ヤマザキ,ヒロシ 発行年月:2003年02月28日 予約締切日:2003年02月21日 ページ数:252p サイズ:単行本 ISBN:9784526050718 山崎浩(ヤマザキヒロシ) 1947年東京都に生まれる。1969年電気通信大学電気通信学部卒業(通信材料工学専攻)。同年東京三洋電機(株)(現三洋電機(株))半導体事業部入社。その後、サンケン電気(株)開発本部、富士エレクトロニックコンポーネンツ(株)応用開発室を経て、1987年に独立し、技術コンサルタントとして活躍中。技術士(電気部門)、中小企業診断士(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) 第1章 パワーMOSFETとは(パワーデバイスの分類/形状と端子配列 ほか)/第2章 パワーMOSFETの構造と動作原理(パワーMOSFETの構造/パワーMOSFETの作製 ほか)/第3章 パワーMOSFETの特性(データシートの見方/伝達特性 ほか)/第4章 応用技術(駆動回路/保護回路 ほか)/第5章 応用回路(電源回路/モータ制御回路 ほか) 本 科学・技術 工学 電気工学
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パワーMOSFET N-CH 60V-50A RFP50N06パワーMOSFET N-CH 60V-50A RFP50N06462
タイプ:RFP50N06 種類: n-ch 定格: 60V-50A-131W-0.022ohm パッケージ: TO220
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パワーMOSFETの応用技術/山崎浩【3000円以上送料無料】パワーMOSFETの応用技術/山崎浩【3000円以上送料無料】3,080送料無料
著者山崎浩(著)出版社日刊工業新聞社発売日2003年02月ISBN9784526050718ページ数252Pキーワードぱわーもすえふいーていーのおうようぎじゆつ パワーモスエフイーテイーノオウヨウギジユツ やまざき ひろし ヤマザキ ヒロシ9784526050718目次第1章 パワーMOSFETとは(パワーデバイスの分類/形状と端子配列 ほか)/第2章 パワーMOSFETの構造と動作原理(パワーMOSFETの構造/パワーMOSFETの作製 ほか)/第3章 パワーMOSFETの特性(データシートの見方/伝達特性 ほか)/第4章 応用技術(駆動回路/保護回路 ほか)/第5章 応用回路(電源回路/モータ制御回路 ほか)
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 李【キョン】烈/著図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 李【キョン】烈/著2,420
【コンビニ・銀行振込不可】 ■ISBN:9784526071720★日時指定・銀行振込をお受けできない商品になりますタイトル図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門 李【キョン】烈/著ふりがなずでみてわかるぱわ-もすえふい-てい-ぎじゆつとかいろにゆうもん発売日201312出版社日刊工業新聞社ISBN9784526071720大きさ153P 21cm著者名李【キョン】烈/著
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パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540330
タイプ: IRF540 種類: n-ch 定格: 100V-27A-150W パッケージ: TO220
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PM45502C (1個) パワーMOSFETモジュール HITACHI 【中古】PM45502C (1個) パワーMOSFETモジュール HITACHI 【中古】8,000送料無料
商品詳細 同梱物・セット内容 品名 数量 PM45502C (パワーMOSFETモジュール) HITACHI (中古) 1個 仕様・諸元 型番:PM45502C メーカー:HITACHI TYPE:パワーMOSFETモジュール(Power MOSFET Module) 商品状態:中古品(USED) ※こちらの商品は数量に限りがございます。 (大量注文をご希望の場合はお問い合わせください) ご質問はjapan@kaitodenshi.jpまで、お気軽にお問い合わせください。 おことわり ※注意:この商品は新品ではありません、中古品です。 中古品の中でも良品を選別しておりますが 万が一、初期不良等ございましたら交換させていただきます。 画像は同一型番のものです。 当店、倉庫内在庫につき代表して1台のみ撮影しています。 (記載内容には誤記や漏れがあることがございます。)
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門2,420
李【キョン】烈/著本詳しい納期他、ご注文時はご利用案内・返品のページをご確認ください出版社名日刊工業新聞社出版年月2013年12月サイズ153P 21cmISBNコード9784526071720工学 電気電子工学 計測・制御図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門ズ デ ミテ ワカル パワ- モス エフイ-テイ- ギジユツ ト カイロ ニユウモン※ページ内の情報は告知なく変更になることがあります。あらかじめご了承ください登録日2013/12/16
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パワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パックパワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パック902
・修理用などに。ランダムに約20個がセット。 ※本製品は、処分パックのため何がセットされているかは お選びいただくことができません。ご了承ください。
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ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)1,320レビューを見る
高機能、高品質 【関連検索ワード】 モスフェット mosfet AceMOS NANO Unit#####ACETECH AceMOS NANO (ハイパワーMOSFET)モーター・バッテリー・スイッチの配線を接続することで、電動ガンのスイッチ保護とトリガーレスポンスの向上を図ることが可能なコンパクトサイズのMOSFETです。高電圧・高電流に耐え得る高い耐久性を持ち、内部抵抗も非常に小さいため熱の発生が少なく、メカボックス内部のトラブルを防止すると同時に直感的な射撃フィーリングを実現することができます。また、逆起電力に起因するトラブルを防止するMOSFET保護回路も組み込まれ電動ガンの長寿命化が期待できます。【Features】・ハイパワーデュアルMOSFETドライバ・逆起電力によるダメージから守る内蔵保護回路・トリガーレスポンスの向上と、熱の発生を防止するMOSFETドライバ・インピーダンス(電気抵抗)を減少するX…続きを読む(↓)
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RUIZHI 5PCS DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガースイッチドライブモジュール0-RUIZHI 5PCS DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガースイッチドライブモジュール0-1,224送料無料
RUIZHI 5PCS DC 5V-36V 15A(最大30A)400Wデュアルハ RUIZHI 5PCS DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガースイッチドライブモジュール0-20KHzPWM調整電子スイッチ制御ボードモーター速度制御ランプ輝度制御商品コード:42067359400型番:007DC 5V-36V; トリガーソース:デジタルハイロー(DC3.3V-20V); 連続電流:15A、冷却条件を強化、最大電流は最大30A。 電力:400W。複数の信号源トリガーをサポートし、マイクロコントローラーIOポート、PLCインターフェース、DC電源などを接続できます。ダブルMOSパラレルアクティブ出力を採用し、内部抵抗が低く、電流と電力が大きくなっています。 その上、それはほとんどのデバイスの使用法を満たし、リラックスした方法で大電力デバイスの制御を実現する一般的な温度の下で15A、400Wで動作します。PWM信号にアクセスでき、信号周波数は0〜20KHZで完
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パワーMOSFETの応用技術/山崎浩パワーMOSFETの応用技術/山崎浩3,080送料無料
著:山崎浩出版社:日刊工業新聞社発売日:2003年02月キーワード:パワーMOSFETの応用技術山崎浩 ぱわーもすえふいーていーのおうようぎじゆつ パワーモスエフイーテイーノオウヨウギジユツ やまざき ひろし ヤマザキ ヒロシ
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Nチャンネル パワーMOSFET 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン 1袋 (5個入) STP75NS04ZNチャンネル パワーMOSFET 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン 1袋 (5個入) STP75NS04Z1,223
ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/64-0552-71/●事業者向け商品です。●入数:1袋(5個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:80 A●最大ドレイン-ソース間電圧:33 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:11 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●パッケージタイプ:TO-220●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:110 W●標準ターンオン遅延時間:16 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:761-2928
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Nチャンネル パワーMOSFET 75 V 80 A 3 ピン パッケージTO-220AB 1袋 (5個入) IRFB3607PBFNチャンネル パワーMOSFET 75 V 80 A 3 ピン パッケージTO-220AB 1袋 (5個入) IRFB3607PBF512
●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-4966-04/●事業者向け商品です。●入数:1袋(5個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:80 A●最大ドレイン-ソース間電圧:75V●最大ドレイン-ソース間抵抗:9 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V●パッケージタイプ:TO-220AB●実装タイプ:スルーホール●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:140W●標準ターンオフ遅延時間:43 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:688-6923
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5個入DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガースイッチドライブモジュール基板 0-20KHzP5個入DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガースイッチドライブモジュール基板 0-20KHzP1,062送料無料
5個入DC 5V-36V 15A(最大30A)400Wデュア 【商品名】 5個入DC 5V-36V 15A(最大30A)400WデュアルハイパワーMOSFETトリガースイッチドライブモジュール基板 0-20KHzP 【商品説明】 【サイズ】 高さ : 1.80 cm 横幅 : 14.60 cm 奥行 : 19.60 cm 重量 : 30.0 g ※梱包時のサイズとなります。商品自体のサイズではございませんのでご注意ください。
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Nチャンネル パワーMOSFET 1200 V 90 A 3 ピン パッケージTO-247Nチャンネル パワーMOSFET 1200 V 90 A 3 ピン パッケージTO-24711,756送料無料
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ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-5177-54/●事業者向け商品です。●入数:1個●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:90 A●最大ドレイン-ソース間電圧:1200V●最大ドレイン-ソース間抵抗:0.034Ω●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:+25V●パッケージタイプ:TO-247●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:463W●標準ターンオン遅延時間:14 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:915-8818
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門/李【キョン】烈図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門/李【キョン】烈2,420送料無料
著:李【キョン】烈出版社:日刊工業新聞社発売日:2013年12月キーワード:図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門李【キョン】烈 ずでみてわかるぱわーもすえふいーていー ズデミテワカルパワーモスエフイーテイー り きよんりる リ キヨンリル
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Nチャンネル パワーMOSFET 15 A 表面実装 パッケージTO-252 2+Tab ピン 1袋 (25個入) RD3L150SNTL1Nチャンネル パワーMOSFET 15 A 表面実装 パッケージTO-252 2+Tab ピン 1袋 (25個入) RD3L150SNTL12,791
●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/64-2648-66/●事業者向け商品です。●入数:1袋(25個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:15 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:51 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:±20 V●パッケージタイプ:TO-252●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:20 W●幅:6.4mm●RoHS適合状況:適合●コード番号:172-0413
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パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540パワーMOSFET N-CH 100V-27A IRF540330レビューを見る
タイプ: IRF540種類: n-ch定格: 100V-27A-150Wパッケージ: TO220
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パワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パックパワーMOSFET & IGBTトランジスタ/約20個パック902
・修理用などに。ランダムに約20個がセット。※本製品は、処分パックのため何がセットされているかは お選びいただくことができません。ご了承ください。
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Nチャンネル パワーMOSFET 1200 V 31 A 3 ピン パッケージTO-247Nチャンネル パワーMOSFET 1200 V 31 A 3 ピン パッケージTO-2473,187
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ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-5123-38/●事業者向け商品です。●入数:1個●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:31 A●最大ドレイン-ソース間電圧:1200V●最大ドレイン-ソース間抵抗:208 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3.2V●最低ゲートしきい値電圧:1.7V●最大ゲート-ソース間電圧:-10V、+25V●パッケージタイプ:TO-247●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:208W●1チップ当たりのエレメント数:1●RoHS適合状況:適合●コード番号:809-8991
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パワーMOSFETの応用技術/山崎浩パワーMOSFETの応用技術/山崎浩3,080送料無料
著:山崎浩出版社:日刊工業新聞社発売日:2003年02月キーワード:パワーMOSFETの応用技術山崎浩 ぱわーもすえふいーていーのおうようぎじゆつ パワーモスエフイーテイーノオウヨウギジユツ やまざき ひろし ヤマザキ ヒロシ
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ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET 30 V 8.8 A 8 ピン パッケージSOIC FDS4435BZ (63-4936-02)ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET 30 V 8.8 A 8 ピン パッケージSOIC FDS4435BZ (63-4936-02)607送料無料
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ディスクリート/アールエスコンポーネンツ 外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-4936-02/●事業者向け商品です●入数:1袋(5個入)●チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:8.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30V●最大ドレイン-ソース間抵抗:20 mΩ●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-25V, +25V●パッケージタイプ:SOIC●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2500mW●寸法:5×4×1.5mm●RoHS適合状況:適合●コード番号:671-0508
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Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 170 mA 3 ピン パッケージSOT-23 1袋 10個入 (63-4935-83)Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 170 mA 3 ピン パッケージSOT-23 1袋 10個入 (63-4935-83)271
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ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-4935-83/●事業者向け商品です。●入数:1袋(10個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:170mA●最大ドレイン-ソース間電圧:100V●最大ドレイン-ソース間抵抗:6Ω●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:0.8V●最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:360mW●標準ターンオフ遅延時間:17 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:671-0321
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Nチャンネル パワーMOSFET 420 A 表面実装 パッケージSOT-227 4 ピン 1セット 10個入 (63-8395-62)Nチャンネル パワーMOSFET 420 A 表面実装 パッケージSOT-227 4 ピン 1セット 10個入 (63-8395-62)27,057送料無料
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ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-8395-62/●事業者向け商品です。●入数:1チューブ(10個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:420 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:2.3 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:5V●最低ゲートしきい値電圧:2.5V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-227●実装タイプ:表面実装●ピン数:4●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.07 kW●動作温度 Max:+175 °C●RoHS適合状況:適合●コード番号:168-4579
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Nチャンネル パワーMOSFET 60 V 240 A 7 ピン パッケージD2PAK TO-263 1袋 2個入 (63-5134-03)Nチャンネル パワーMOSFET 60 V 240 A 7 ピン パッケージD2PAK TO-263 1袋 2個入 (63-5134-03)752
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ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-5134-03/●事業者向け商品です。●入数:1袋(2個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:240 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60V●最大ドレイン-ソース間抵抗:1.4 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3.7V●最低ゲートしきい値電圧:2.1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:7●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:375W●標準入力キャパシタンス @Vds:12960 pF @ 25V●RoHS適合状況:適合●コード番号:820-8867
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術3,080
本 ISBN:9784526050718 山崎浩/著 出版社:日刊工業新聞社 出版年月:2003年02月 サイズ:252P 21cm 工学 ≫ 電気電子工学 [ 電子回路 ] パワ- モス エフイ-テイ- ノ オウヨウ ギジユツ 登録日:2013/04/03 ※ページ内の情報は告知なく変更になることがあります。
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Nチャンネル パワーMOSFET 30 V 5.3 A 3 ピン パッケージSOT-23 1袋 (20個入) IRLML0030TRPBFNチャンネル パワーMOSFET 30 V 5.3 A 3 ピン パッケージSOT-23 1袋 (20個入) IRLML0030TRPBF710
ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-5027-94/●事業者向け商品です。●入数:1袋(20個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:5.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧:30V●最大ドレイン-ソース間抵抗:27 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.3V●最低ゲートしきい値電圧:1.3V●最大ゲート-ソース間電圧:-20V, +20V●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.3W●寸法:3.04×1.4×1.02mm●RoHS適合状況:適合●コード番号:725-9344
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Nチャンネル パワーMOSFET 20 V 1.05 A 3 ピン パッケージSOT-23 TO-236AB 1袋 20個入Nチャンネル パワーMOSFET 20 V 1.05 A 3 ピン パッケージSOT-23 TO-236AB 1袋 20個入459
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ディスクリート アールエスコンポーネンツ ●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-4637-66/●事業者向け商品です。●入数:1袋(20個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:1.05 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20V●最大ドレイン-ソース間抵抗:200 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:0.85V●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大ゲート-ソース間電圧:-8V, +8V●パッケージタイプ:SOT-23 (TO-236AB)●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:417mW●標準ターンオフ遅延時間:45 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:509-273
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門2,420
本 ISBN:9784526071720 李【キョン】烈/著 出版社:日刊工業新聞社 出版年月:2013年12月 サイズ:153P 21cm 工学 ≫ 電気電子工学 [ 計測・制御 ] ズ デ ミテ ワカル パワ- モス エフイ-テイ- ギジユツ ト カイロ ニユウモン 登録日:2013/12/16 ※ページ内の情報は告知なく変更になることがあります。
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Nチャンネル パワーMOSFET 100 V 180 A 3 ピン パッケージTO-220AB 1袋 (2個入) IRLB4030PBFNチャンネル パワーMOSFET 100 V 180 A 3 ピン パッケージTO-220AB 1袋 (2個入) IRLB4030PBF877
●外部リンク:https://axel.as-1.co.jp/asone/d/63-4966-45/●事業者向け商品です。●入数:1袋(2個入)●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:180 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100V●最大ドレイン-ソース間抵抗:4 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.5V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-16V, +16V●パッケージタイプ:TO-220AB●実装タイプ:スルーホール●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:370W●標準ターンオフ遅延時間:110 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:688-7216
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術3,080
著者名:山崎 浩 著 内容説明:パワーMOSFETとは、パワーMOSFETの構造と動作原理、特性、応用技術等について解説した実務書。技術変化に対応するため、大幅に加筆・修正し、設計演習を設け、実務力向上を目指した、1988年刊の第2版。【「TRC MARC」の商品解説】
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門2,750
著者名:山崎 浩 著 内容説明:パワーMOSFETやIGBTをパワーデバイスとして使うための上手な使い方、選び方を著者の経験を生かしたアドバイスをもとにやさしく解説した入門書。【「TRC MARC」の商品解説】
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よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門2,750
本書は、これからパワーMOSFETとIGBTを学び、実際に回路設計しようとする技術者を念頭に置き、素子の分類、動作原理、データシートの見方、特性改善、応用技術などをできるだけ易しく解説したもの。さらに、応用回路例を分野別に示した。
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パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイスパワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス4,400
著者名:岩室 憲幸 著 内容説明:電気エネルギーの一層の有効利用実現に欠かすことのできないパワー半導体デバイス、特に需要の拡大が期待されるSiC MOSFETについて、現状と課題ならびに課題解決のための最新技術をわかりやすく解説する。【「TRC MARC」の商品解説】 パワー半導体デバイスにおいて圧倒的なシェアを占めているのがシリコン半導体である。しかし,最近徐々にではあるが炭化ケイ素( SiC) に代表される次世代パワー半導体デバイスが,製品としての存在感を増してきている。本書では,電気エネルギーの一層の有効利用実現に欠かすことのできないパワー半導体デバイス,特に今後その需要の拡大が大いに期待されるSiC MOSFET について,その現状と課題ならびに課題解決のための最新技術についてわかりやすく解説されている。 第1章は,パワー半導体デバイスの種類,構造,そして新しいパワー半導体デバイスを開発する位置づけについて説明されている。また,パワー半導体デバイスがもっとも使われているパワーエレクトロニクス回路のひとつであるインバータ回路の動作についての解説,そこからパワー半導体デバイスの役割について書かれている。そして第2章では,現在のパワー半導体デバイスの主役であるシリコンMOSFET とIGBT の現状,ならびにその最新デバイス技術や実装技術について解説しており、この最初の二つの章には,パワー半導体デバイス構造,動作,並びにその適用回路動作について解説されている箇所がある。第3章から第5章には,今後の発展が大いに期待されるSiC MOSFET について,その現状と課題,そしてその課題解決のための最新技術について,素子技術ならびに実装技術に分けて丁寧に解説されている。SiC MOSFET 最新技術については,未だ製品化には至っていないが将来有望な技術についても紹介しており、そして本書では特に,第4章として,SiC MOSFET の高信頼性特性実現のために非常に重要な「 素子破壊耐量」 について取り上げ,最新の解析結果を紹介しながらSiC MOSFET がどのように壊れるのか,シリコンIGBT よりも強いのかなどについて,その破壊メカニズムの特徴を説明し,破壊耐量向上のための最新技術について詳細に解説されている。【商品解説】
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スイッチング電源スイッチング電源3,080
著者名:森田浩一 著 内容説明:独学者・初心者に向けた、スイッチング電源設計のテキスト。2は、基本回路、負帰還技術、制御IC、スイッチング素子、MOSFET、同期整流回路、スナバ回路などについて、ていねいに解説する。【「TRC MARC」の商品解説】本書はスイッチング電源における回路方式,負帰還技術,電源IC活用のための知識,スイッチング素子となるダイオードとMOSFET,同期整流回路,スナバ回路などにおけるノウハウを余すところなく紹介.電源に関わるすべての設計者をサポートする書籍です.★目次●プロローグ スイッチング電源の動作確認降圧コンバータの動作肝はPWM…パルス幅変調回路単純化したモデル回路でスイッチング動作を考える電圧安定化はPWMによる負帰還降圧コンバータ…軽負荷時の現象●第1章 スイッチング電源 回路技術のあらまし1-1 絶縁型コンバータ 回路のあらまし1-2 小容量に適した1石の絶縁コンバータ1-3 中容量をカバーするフォワード・コンバータ1-4 中・大容量には2石以上の絶縁コンバータ1-5 従来型…矩形波コンバータの損失を検討する1-6 高効率・低ノイズに向けて…共振コンバータへの進化1-7 LC共振のふるまいを解析すると●第2章 スイッチング電源の負帰還技術2-1 安定化電源は負帰還増幅回路2-2 CR回路でゲイン-位相特性を調整する2-3 スイッチング電源の安定性を確認するには2-4 安定なスイッチング電源を設計するには2-5 降圧コンバータの実際の特性を確認すると●第3章 スイッチング電源用ICの活用技術3-1 スイッチング電源制御ICのあらまし3-2 2次側に可変型基準電圧IC TL431を活用する3-3 設計を簡単にする多様なスイッチング電源用IC3-4 負荷応答を改善する制御ICのさまざまな工夫●第4章 パワー・スイッチング素子のあらまし4-1 スイッチング電源用パワー素子のあらまし4-2 スイッチング電源用MOSFETのトレンド4-3 スイッチング電源2次側整流用パワー・ダイオード●第5章 スイッチング電源のためのMOSFET活用5-1 MOSFET活用のための基礎知識5-2 MOSFETを活かすには駆動回路が重要5-3 もう一つの難題…ハイ・サイド駆動回路5-4 MOSFETの寄生ダイオードをどう使うか5-5 素子の高速化に伴うセルフ・ターンONに注意する○Appendix 降圧コンバータにおけるMOSFETのスイッチング動作●第6章 MOSFETによる同期整流回路の設計6-1 同期整流回路とは6-2 同期整流回路の損失を解析すると6-3 同期整流回路の構成と応用●第7章 ノイズ対策に役立つスナバ回路の設計7-1 サージ・ノイズの発生とスナバの役割7-2 実用コンバータにおけるスナバの設計7-3 ダイオード・スナバには低速リカバリ・ダイオードが効果的【商品解説】
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門2,420
半導体の基礎とダイオードの特性からはじめ、MOSFETの酸化膜構造と動作、構造、動作及び各パラメタの特性を説明。
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パワーMOSFETの応用技術 第2版パワーMOSFETの応用技術 第2版3,080
目覚しいデバイス技術、応用技術を加え、全面改訂を行うもの。とくに、最新の応用回路の充実を図るとともに、設計演習を設けることで実務カの向上を目指した。
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高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法3,960
著者名:トランジスタ技術SPECIAL編集部 編集
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グリーン・エレクトロニクス No.8 高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法グリーン・エレクトロニクス No.8 高速&高耐圧!パワーMOSFETの活用法3,960
本シリーズでは、エレクトニクス技術について、エネルギーを扱うという観点からアプローチします。具体的には、電源回路、発電、電力変換、モータ駆動、照明などについて扱います。地球環境にやさしいエレクトロニクスの技術情報を紹介していきます。
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図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門2,420
著者名:李 【キョン】烈 著 内容説明:半導体物質で作られる電子デバイス・MOSFET。半導体の基礎やMOSFETの構造及び動作原理について詳しく解説し、各特性パラメータに関してもMOSFETの構造的な特性をベースに分析し説明。応用例も取り上げる。【「TRC MARC」の商品解説】
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パワーMOS FET活用の基礎と実際パワーMOS FET活用の基礎と実際3,080
著者名:稲葉 保 著 内容説明:高効率・高速パワー・スイッチングの実現手段を、実験で具体的に解説。パワーMOSFETをうまく使いたい、安全・確実なパワー・エレクトロニクス回路を実現したいという人におすすめのテキスト。【「TRC MARC」の商品解説】
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トランジスタ技術SPECIAL No.117 最新・高効率パワー・デバイス活用法 スマートで小型・高性能な電源/インバータ/アンプをトランジスタ技術SPECIAL No.117 最新・高効率パワー・デバイス活用法 スマートで小型・高性能な電源/インバータ/アンプを2,420
最近は、新しいプロセスや素材を使った、小型、高効率なパワー・デバイスが誕生しています。本書では、中でも進化が著しい3 種類のパワー・デバイスMOSFET/ダイオード/IGBT の使い方や選び方を紹介します。
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エンジニアの悩みを解決パワーエレクトロニクスエンジニアの悩みを解決パワーエレクトロニクス4,730
著者名:高木 茂行 編著,長浜 竜 共著,服部 文哉 共著,今岡 淳 共著,佐藤 大介 共著,平沢 浩一 共著,向山 大索 共著 内容説明:パワーデバイス、電気自動車、計測技術の理解を深めるための書。パワーデバイスを使いこなすための半導体物性と適用のノウハウを記載し、実際のハイブリッドカーに搭載されたパワーコントロールユニットの解体調査等を解説。【「TRC MARC」の商品解説】【本書の目的】 パワーエレクトロニクスに関わっている研究者・技術者の方から、パワーデバイス、電気自動車、計測技術について学びたいという声をよく聞きます。本書は、この3項目を取り上げ、研究者や技術者の疑問を解決するのが目的です。【読者対象】2章~6章のパワーデバイスは、パワーエレクトロニクスの初学者はもちろん、パワーエレクトロニクスに携わっている技術者、研究者も幅広く活用できるよう構成しました。7、8章の電気自動車と9、10章の計測技術は、すでにパワーエレクトロにするに携わっている技術者、研究者を対象としています。【本書の特徴】 パワーデバイス、電気自動車、計測技術の理解を深めるため、次の特徴を持って書いています。。◎パワーデバイスを使いこなすための半導体物性と適用のノウハウを記載パワーデバイスを使いこなすためには、半導体物性という物理現象と安定的に動作させるノウハウが必要です。2章で、デバイス理解に必要とされる項目と数式を抽出し、半導体物性について分かりやすく説明しました。3~5章で、こうした物理現象とデバイス特性との関係を説明、6章でゲート回路、デバイス選択など使いこなしノウハウを紹介しました。◎実際のハイブリッドカーに搭載されたパワーコントロールユニットの解体調査 電気自動車の心臓部となるパワーユニットについて、2代目プリウムを解体し、そのパワーコントロールユニットの構造、動作特性について、写真と図を交えながら詳しく説明しています。◎電気自動車に使われる受動素子の設計方法 電気自動車で使用するコンデンサ、インダクタ、抵抗について、その原理、種類と特徴、設計方法、設計ノウハウについて、数式と具体例を挙げて解説しています。◎パワエレで必要とされる具体的な測定例を紹介 個人的なスキルに依存しているパワーエレクトロニクスの測定技術について、計測メーカの現役エンジニアが、測定の基礎とノウハウについて、体系的に解説しています。また、具体的な測定事例として、モータ駆動用インバータ、ワイドバンド半導体GaN、磁性材材料の特性、実際の車のPCU特性、を取り上げています。【著者からのメッセージ】 物事を理解するためは、現物や実際の現象を経験するのが一番です。そこで、本書では、必要に応じて、「実際の〇〇を測ってみると・・・」「実際の〇〇を調べてみると・・・」の項目を設けています。ダイオード、GaNデバイス、MOSFET、IGBTの動作波形を掲載しています。また、市販されているハイブリッドカーのインバータと双方向チョッパの測定方法、測定波形と紹介しています。このテキストを読んで、エンジニア・研究者の皆さんが、これまでの悩みや疑問を解決できる一助となることを期待しています。【商品解説】
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初歩から学ぶパワーエレクトロニクス初歩から学ぶパワーエレクトロニクス2,970
著者名:安芸 裕久 著,山口 浩 著,平瀬 祐子 著 内容説明:パワーエレクトロニクスを基礎から学ぶためのテキスト。パワー半導体素子および主要電力変換回路から、パワーエレクトロニクスの応用例までを解説する。章末問題も掲載。【「TRC MARC」の商品解説】本書はパワーエレクトロニクスに関する教科書です。図版を豊富に用い、順を追ったていねいな解説により、全体を通して学生1人でも読み進められるようなつくりを心がけました。パワーエレクトロニクス技術のややこしい原理も理解できるはずです。企業や産業技術総合研究所における著者の経験を活かし、多様な応用も幅広く紹介します。【編集担当より】基礎も応用もわかりやすい解説に努めました。応用については日常生活に関わるさまざまな例を取り上げています。用途に応じてさまざまな回路が用いられ、制御が工夫されていることがわかり、世の中の視点が変わりました。[目次]第1章 はじめに 1.1 パワーエレクトロニクスとは 1.2 パワーエレクトロニクスの歴史 1.3 電力変換と制御 1.4 スイッチング第2章 パワー半導体素子 2.1 パワーエレクトロニクスに使用される半導体素子 2.2 半導体 2.3 ダイオード 2.4 トランジスタとMOSFET 2.5 サイリスタおよび関連する素子 2.6 IGBT第3章 整流回路 3.1 三相交流 3.2 単相半波整流回路 3.3 単相全波整流回路 3.4 三相整流回路 3.5 電力回生 3.6 転流と重なり第4章 インバータ 4.1 電力変換回路・インバータの分類 4.2 電圧形インバータ 4.3 電流形インバータ 4.4 インバータの制御方法 4.5 PWM制御の注意点第5章 直流チョッパ回路 5.1 降圧チョッパ回路 5.2 昇圧チョッパ回路 5.3 昇降圧チョッパ回路 5.4 可逆チョッパ回路 5.5 四象限チョッパ回路第6章 パワーエレクトロニクスの応用例1:電源分野 6.1 直流電源 6.2 商用周波数交流電源第7章 パワーエレクトロニクスの応用例2:電力分野 7.1 発電領域 7.2 送配電領域 7.3 負荷領域第8章 パワーエレクトロニクスの応用例3:産業分野 8.1 モータ駆動 8.2 産業用機器第9章 パワーエレクトロニクスの応用例4:家電・民生分野 9.1 家電・民生機器用モータ駆動 9.2 家電・民生機器用電源第10章 ワーエレクトロニクスの応用例5:輸送分野 10.1 電気鉄道 10.2 自動車 10.3 エレベータ 10.4 航空機 10.5 船舶【商品解説】
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エンジニアの悩みを解決パワーエレクトロニクス パワーデバイスを使いこなす設計・計測・自動車への展開エンジニアの悩みを解決パワーエレクトロニクス パワーデバイスを使いこなす設計・計測・自動車への展開4,730
【本書の目的】 パワーエレクトロニクスに関わっている研究者・技術者の方から、パワーデバイス、電気自動車、計測技術について学びたいという声をよく聞きます。本書は、この3項目を取り上げ、研究者や技術者の疑問を解決するのが目的です。【読者対象】2章?6章のパワーデバイスは、パワーエレクトロニクスの初学者はもちろん、パワーエレクトロニクスに携わっている技術者、研究者も幅広く活用できるよう構成しました。7、8章の電気自動車と9、10章の計測技術は、すでにパワーエレクトロにするに携わっている技術者、研究者を対象としています。【本書の特徴】 パワーデバイス、電気自動車、計測技術の理解を深めるため、次の特徴を持って書いています。。◎パワーデバイスを使いこなすための半導体物性と適用のノウハウを記載パワーデバイスを使いこなすためには、半導体物性という物理現象と安定的に動作させるノウハウが必要です。2章で、デバイス理解に必要とされる項目と数式を抽出し、半導体物性について分かりやすく説明しました。3?5章で、こうした物理現象とデバイス特性との関係を説明、6章でゲート回路、デバイス選択など使いこなしノウハウを紹介しました。◎実際のハイブリッドカーに搭載されたパワーコントロールユニットの解体調査 電気自動車の心臓部となるパワーユニットについて、2代目プリウムを解体し、そのパワーコントロールユニットの構造、動作特性について、写真と図を交えながら詳しく説明しています。◎電気自動車に使われる受動素子の設計方法 電気自動車で使用するコンデンサ、インダクタ、抵抗について、その原理、種類と特徴、設計方法、設計ノウハウについて、数式と具体例を挙げて解説しています。◎パワエレで必要とされる具体的な測定例を紹介 個人的なスキルに依存しているパワーエレクトロニクスの測定技術について、計測メーカの現役エンジニアが、測定の基礎とノウハウについて、体系的に解説しています。また、具体的な測定事例として、モータ駆動用インバータ、ワイドバンド半導体GaN、磁性材材料の特性、実際の車のPCU特性、を取り上げています。【著者からのメッセージ】 物事を理解するためは、現物や実際の現象を経験するのが一番です。そこで、本書では、必要に応じて、「実際の〇〇を測ってみると・・・」「実際の〇〇を調べてみると・・・」の項目を設けています。ダイオード、GaNデバイス、MOSFET、IGBTの動作波形を掲載しています。また、市販されているハイブリッドカーのインバータと双方向チョッパの測定方法、測定波形と紹介しています。このテキストを読んで、エンジニア・研究者の皆さんが、これまでの悩みや疑問を解決できる一助となることを期待しています。
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トランジスタ技術SPECIAL No.139 実践式!トランジスタ回路の読解き方&組合せ方入門 1石アンプからカスタム・アナログまでトランジスタ技術SPECIAL No.139 実践式!トランジスタ回路の読解き方&組合せ方入門 1石アンプからカスタム・アナログまで2,640
本書はイメージを中心としたトランジスタ回路の読解き方から解説し,1石のトランジスタ・アンプからカスタム・アナログまで,トランジスタを組合せてフルディスクリートで仕上げる実践的な技を紹介します.★目 次◎Introduction●質実剛健! トランジスタ道一直線◎オームの法則だけで大丈夫! 私のお勧めトランジスタ攻略法●第1章 エミッタの気持ちになれ!◎恐れるに足らず! 電卓片手に2石のシンプルな回路でやってみよう●第2章 初体験! トランジスタアンプの設計と実験◎直流から10MHzまで一直線! 0.5Ωでグイグイ駆動●第3章 無帰還でひずみ0.003%以下!フルディスクリート・ヘッドホン・アンプ◎ICの回路技術を駆使! ひずみ0.02%,10Hz?100kHzフラット,消費2.7mA●第4章 強力ドライブ! ポータブル・ヘッドホン・アンプ◎JFETパラレル入力! 街で売ってるフツウの部品で作れる●第5章 抵抗の熱雑音が見える! 1nV/√Hz低雑音プリアンプ◎μsの超高速ON/OFF! 劣化なしで微小?大電力をロスレス伝送●第6章 MOSFETで作るオン抵抗5mΩ,35V/18A無接点双方向リレー◎高周波性能を蝕む容量との戦いに勝つためのノウハウ●第7章 0.26pF,785MHzの低入力容量広帯域アクティブ・プローブ◎発振,共振,フィルタ,周波数変換,検波…無線技術の基本丸わかり●第8章 情熱のフルディスクリートFMラジオ◎IC依存症のあなたに! 電圧安定化のしくみから熱設計の基本までゼロからマスタ●第9章 四つの構成回路を一つずつ! モジュール交換式チュートリアル電源◎低ひずみ0.001%,低雑音0.5μVRMS,RIAA偏差±0.5dBのMMカートリッジ用●第10章 アナログ・レコード再生用500円イコライザ・プリアンプ◎ひずみ率0.004%! アナログICの回路技術を活用●第11章 メガ盛り54石! 出力10Wの無帰還パワー・アンプ◎オリジナルをひも解いて,45年ロングセラーの理由と正しい使い方を探る●第12章 開発者に捧ぐ! トランジスタ・タイマ「ディスクリート555」◎実験用測定器/チェッカから楽器/オーディオまで●第13章 1?8石でサクッと! 即席トランジスタ回路
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パワーMOSFETの応用技術パワーMOSFETの応用技術3,080
発売日
2003/02/28
メーカー
日刊工業新聞社
著者
山崎浩
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