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カーブトレーシング機能を備えた高度な半導体分析装置-DCA75
価格比較 2 件 / 最安値 46,200 円
価格比較
カーブトレーシング機能を備えた高度な半導体分析装置-DCA75カーブトレーシング機能を備えた高度な半導体分析装置-DCA7546,200 円最安値送料無料
- ・ハンディテスターとして、PC接続も可能・自動部品タイプ認識機能・自動ピン認識機能・自動/マニュアル電源OFFショート回路へのピークテスト電流: -5.5 mA〜5.5 mA オープン回路へのピークテスト電圧: -5.1 V〜5.1 V 電源: タイプ: MN21 / L1028 / GP23A 12Vアルカリ 電圧範囲: 7.50 V - 12 V 警告閾値: 8.25 V寸法: 103 x 70 x 20 mm
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- DCA Proは、グラフィックディスプレイ、USB通信、PCソフトウェア、強化されたコンポーネント識別ライブラリを備えた先進的な新設計を採用しています。 ・スタンドアロンまたは PC で使用可能 ・自動コンポーネント タイプ識別 ・自動ピン配置識別 ・保護ダイオードや抵抗シャントなどの特殊機能識別 ・バイポーラ トランジスタ: ゲインとリーク電流の測定、シリコンとゲルマニウムの検出 ・エンハンスメント モード MOSFET のゲートしきい値測定 ・ダイオード、LED、トランジスタのベース エミッタ接合の半導体順方向電圧測定 ・自動および手動電源オフ S/C への最大ピーク テスト電流: 12 mA O/S 間の最大ピーク テスト電圧: 12 V ダイオード仕様: テスト電流: 5.0 mA 電圧精度: -2% -20 mV ～ +2% +20 mV LED 識別用 Vf: 1.50 V ～ 4.00 V 短絡しきい値: 10Ω SCR/トライアック仕様: ゲート テスト電流: 4.5 mA 負荷テスト電流: 5.0 mA トランジスタ仕様: ゲイン範囲 (Hfe): 4 ～ 65000 ゲイン精度: +/- 3 % +/- 5 Hfe Vceo テスト電圧: 2.0 V ～ 3.0 V Vbe 精度: -2 % -20 mV ～ +2 % +20 mV ダーリントン (シャント) 用 VBE: 0.95 V ～ 1.80 V (0.75 V - 1.80 V) ベース-エミッタ シャントしきい値: 50 kΩ - 70 kΩ BJT コレクタ テスト電流: 2.45 mA - 2.55 mA BJT 許容リーク: 0.7 mA MOSFET: ゲートしきい値範囲: 0.1 V - 5.0 V しきい値精度: -2 % -20 mV ～ +2 % +20 mV ドレイン テスト電流: 2.45 mA - 2.55 mA ゲート抵抗: 8 kΩ デプレッション ドレイン テスト電流: 4.5 mA JFET ドレイン-ソース テスト電流: 0.5 mA - 5.5 mA 寸法:約103x70x20mm 重量:約98g PEAK
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