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最新VLSIの基礎第2版 [ ユアン・タウア ]

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タウア・ニン 最新VLSIの基礎 / 芝原健太郎 〔本〕タウア・ニン 最新VLSIの基礎 / 芝原健太郎 〔本〕9,504最安値送料無料
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発売日:2013年01月 / ジャンル:建築・理工 / フォーマット:本 / 出版社:丸善出版 / 発売国:日本 / ISBN:9784621085813 / アーティストキーワード:芝原健太郎 内容詳細:初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。目次:序章/ デバイス物理の基礎/ MOSFETデバイス/ CMOSデバイス設計/ CMOS性能因子/ バイポ・・・
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最新VLSIの基礎 第2版/ユアン・タウア最新VLSIの基礎 第2版/ユアン・タウア9,504最安値送料無料
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出版社名:丸善出版 著者名:ユアン・タウア、タック・H.ニン、芝原健太郎 発行年月:2013年01月 版:第2版 キーワード:サイシン ヴイエルエスアイ ノ キソ*サイシン VLSI ノ キソ、タウア,ユアン、ニン,タック・H.、シバハラ,ケンタロウ
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【ゆうメール利用不可】タウア・ニン最新VLSIの基礎 / 原タイトル:Fundamentals of Modern VLSI Devices 原著第2【ゆうメール利用不可】タウア・ニン最新VLSIの基礎 / 原タイトル:Fundamentals of Modern VLSI Devices 原著第29,504最安値
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2013/01/26
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【ゆうメール利用不可】2013/01発売 ※ゆうメール利用不可※/初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。
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最新VLSIの基礎第2版 [ ユアン・タウア ]最新VLSIの基礎第2版 [ ユアン・タウア ]9,504最安値送料無料
【楽天ブックスならいつでも送料無料】 ユアン・タウア タック・H.ニン 丸善出版BKSCPN_【高額商品】 サイシン ヴイエルエスアイ ノ キソ タウア,ユアン ニン,タック・H. 発行年月:2013年01月 ページ数:721p サイズ:単行本 ISBN:9784621085813 原著第2版 芝原健太郎(シバハラケンタロウ) 広島大学ナノデバイス・システム研究センター。2011年4月21日逝去 宮本恭幸(ミヤモトヤスユキ) 東京工業大学大学院理工学研究科 内田建(ウチダケン) 慶應義塾大学理工学部(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) 序章/デバイス物理の基礎/MOSFETデバイス/CMOSデバイス設計/CMOS性能因子/バイポーラデバイス/メモリデバイス/SOIデバイス〔ほか〕 初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属ーシリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。 本 科学・技術 工学 電気工学
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【送料無料】 タウア・ニン 最新VLSIの基礎 / 芝原健太郎 【本】【送料無料】 タウア・ニン 最新VLSIの基礎 / 芝原健太郎 【本】9,504最安値送料無料
基本情報ジャンル建築・理工フォーマット本出版社丸善出版発売日2013年01月ISBN9784621085813発売国日本サイズ・ページ721p 21cm(A5)関連キーワード 9784621085813 【FS_708-2】出荷目安の詳細はこちら>>楽天市場内検索 『在庫あり』表記について
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タウア・ニン 最新VLSIの基礎 第2版タウア・ニン 最新VLSIの基礎 第2版新品価格:9,504中古価格:14,06117:33時点 詳細はこちらレビューを見る
発売日
2013/01/24
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丸善出版
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タウア・ニン最新VLSIの基礎タウア・ニン最新VLSIの基礎9,504最安値
著者名:Yuan Taur 著,Tak H.Ning 著,芝原 健太郎 監訳,宮本 恭幸 監訳,内田 建 監訳 内容説明:CMOSやバイポーラトランジスタの動作を支配するデバイスの基礎を、ディープサブミクロンVLSIデバイスに重要なデバイスパラメータや性能因子に重点をおいて解説。MOSFETのスケール長の理論などを加えた第2版。〔初版:丸善 2002年刊〕【「TRC MARC」の商品解説】
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思っていたより早く着きました。思っていたより早く着きました。2017/09/28Yahoo!ショッピングぐるぐる王国 ヤフー店通販ページへ
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